深圳市联得半导体技术有限公司卢良文获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市联得半导体技术有限公司申请的专利刺晶装置及固晶系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205619U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520991987.1，技术领域涉及：H10P72/70；该实用新型刺晶装置及固晶系统是由卢良文;廖伟;钟履泉设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本刺晶装置及固晶系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种刺晶装置及固晶系统，刺晶装置包括底座、顶针帽和顶针，顶针帽设于底座上，顶针帽被设置为能够沿第一方向相对底座移动，顶针帽具有背离底座一侧的吸附部，吸附部被设置为能够吸附芯片。顶针设于底座朝向顶针帽的一侧，吸附部上穿设有沿第一方向延伸的过孔，顶针被设置为能够沿第一方向相对底座移动，并经过过孔伸出顶针帽。本申请的刺晶装置有利于提高刺晶操作的稳定性和成功率。
本实用新型刺晶装置及固晶系统在权利要求书中公布了：1.一种刺晶装置，其特征在于，所述刺晶装置包括： 底座； 顶针帽，设于所述底座上，所述顶针帽被设置为能够沿第一方向相对所述底座移动，所述顶针帽具有背离所述底座一侧的吸附部，所述吸附部被设置为能够吸附芯片；以及 顶针，设于所述底座朝向所述顶针帽的一侧；所述吸附部上穿设有沿所述第一方向延伸的过孔，所述顶针被设置为能够沿所述第一方向相对所述底座移动，并经过所述过孔伸出所述顶针帽。
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