中国科学院微电子研究所李晓静获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种低成本静电防护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111254536.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低成本静电防护方法是由李晓静;曾传滨;高林春;倪涛;王娟娟;李多力;闫薇薇;单梁;李明珠;罗家俊;赵发展;韩郑生设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本静电防护方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种低成本静电防护方法，包括：提供第一芯片，将集成电路布设于第一芯片上；提供第二芯片，将静电防护电路布设于第二芯片上，静电防护电路包括：第一电源接出端口、第二电源接出端口、第一电容；将第一电源接出端口与集成电路电源端口相连，当静电脉冲从第二电源接出端口流入时，第一电容能够吸收该静电脉冲，抑制集成电路发生静电损伤，同时电容成本较低，使得所述方法实现静电防护的同时，防护成本较低。并且，集成电路与静电防护电路布设于不同芯片，不需要在集成电路所在芯片上进行静电防护设计，避免了由于集成电路所在芯片基底材料限制导致无法对集成电路进行静电防护设计的问题，能够实现对新型集成电路的静电防护。
本发明授权一种低成本静电防护方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本静电防护方法，其特征在于，包括： 提供第一芯片，将集成电路布设于所述第一芯片上，所述集成电路包括电源端口； 提供第二芯片，将静电防护电路布设于所述第二芯片上，所述第一芯片为碳基芯片，所述第二芯片为硅基芯片； 所述静电防护电路包括：电源接出端口、第一电容、第二电阻和地端接出端口，其中，所述电源接出端口包括第一电源接出端口和第二电源接出端口，所述第二电源接出端口通过所述第一电容第一端与所述第一电源接出端口相连，所述第一电容第二端与所述地端接出端口相连；所述第二电阻第一端与所述第一电容第一端相连，第二端与第一电阻第二端相连； 将所述第一电源接出端口与所述集成电路的电源端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护。
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