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龙图腾网获悉广东金铝轻合金股份有限公司申请的专利一种3C电子产品用的高强度铝合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121380639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511978465.9，技术领域涉及：C22C1/02；该发明授权一种3C电子产品用的高强度铝合金及其制备方法是由李智略;潘保文;王海东;朱逢春设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3C电子产品用的高强度铝合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种3C电子产品用的高强度铝合金及其制备方法，其包括熔炼、精炼、铸造成型、均质处理、淬火、时效六个步骤，通过严格降低Fe和Cu的含量、提升Mg和Si的原子比、优化铝合金的制备工艺，保障Al、Mg、Si的协同作用，促使强化相均匀且稳定地析出，可避免铝合金淬火后室温停放形成粗大G.P.区，满足强化相高度弥散化需求，显著改善铝合金机械性能。该铝合金的屈服强度为288MPa‑305MPa，抗拉强度为302MPa‑313MPa，加工成3C产品配件后配件精度范围在±0.009mm‑±0.02mm，配件阳极氧化后表面色差值ΔE为0.31‑0.45、公差波动率和色差波动率均低于7%。该铝合金无需添加昂贵金属，晶相组织均匀，兼具高强度与高塑性、便于推广实施，可满足3C电子产品及超高精度医疗器械的加工需求。

本发明授权一种3C电子产品用的高强度铝合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3C电子产品用的高强度铝合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 熔炼：向高频感应熔炼炉中依次加入铝源、硅源、铁源、铜源、锰源、镁源、铬源、锌源、钛源，在740℃-760℃、电磁搅拌频率为200Hz-500Hz的条件下搅拌30min-50min，搅拌过程中定时从高频感应熔炼炉取样进行分析，控制熔体中各个成分处于预设区间内，搅拌完成后，即得第一熔体； 精炼：向第一熔体中依次加入细化剂以及精炼剂，并静置20min-30min除气除渣后，即得第二熔体； 铸造成型：将第二熔体转移至铸造机中，采用半连续铸造工艺，在铸造速度为80mmmin、冷却水压力为0.3MPa-0.5MPa的条件下，将第二熔体铸造成预设尺寸规格的铝材； 均质处理：将制备得到的铝材转移至连续式均质炉中，在530℃-550℃的条件下进行均质处理4h-5h后，冷却至室温后，即得均质化铝材； 淬火：将制备得到的均质化铝材加热至510℃-520℃后转移至热挤压机中，在模具温度为480℃-490℃的条件下挤出，挤出后通过水雾冷却装置对均质化铝材进行冷却，冷却至170℃-180℃后，即得淬火铝材； 时效：将制备得到的淬火铝材转移至热风循环时效炉中，在170℃-180℃保温8h-9h并自然降温至室温后，即得3C电子产品用的高强度铝合金； 所述高强度铝合金，按质量百分比计，由以下组分组成：Si0.43%-0.46%、Fe0.07%-0.09%、Cu0.04%-0.05%、Mn0.03%-0.04%、Mg0.63%-0.65%、Cr0.02%-0.04%、Zn0.02%-0.03%、Ti0.06%-0.07%，其余为Al以及不可避免的其他杂质元素，不可避免的其他杂质元素的总量≤0.01%；所述铝合金包括α-Al基相以及弥散化分布于所述α-Al基相内的Mg2Si强化相； 所述铝合金中Mg和Si的原子比为1.63-1.71； 所述铝合金的晶粒尺寸为12μm-17μm，晶粒尺寸差为3μm-5μm； 所述铝合金中，Mg2Si强化相的晶粒尺寸为0.4μm-0.8μm，相邻两个Mg2Si强化相晶粒之间的距离为1μm-5μm； 所述铝合金中，单个晶粒内Mg2Si强化相的平均三维分布密度为2.4×107个mm3-3.9×107个mm3； 所述铝合金中，单个晶粒内Mg2Si强化相的数量为33个-84个； 所述铝合金中，单个晶粒内Mg2Si强化相的体积分数为0.22%-0.43%； 定义铝合金晶粒中所述Mg2Si强化相的总数量为Z，α-Al基相晶界上的Mg2Si强化相的数量为Y，所述Z和所述Y满足以下关系：89.8%≤Z-YZ≤94.3%。

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