深圳市懋略技术研究有限公司郝嵘获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市懋略技术研究有限公司申请的专利一种负极极片及其制备方法、锂离子电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121460494B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610019101.6,技术领域涉及:H01M4/13;该发明授权一种负极极片及其制备方法、锂离子电池是由郝嵘;阮泽文;梁景哲;沈晞设计研发完成,并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负极极片及其制备方法、锂离子电池在说明书摘要公布了:针对现有锂离子电池负极极片单一涂层的材料均质化设计难以兼顾电池的能量密度和倍率性能的问题,本发明提供了一种负极极片及其制备方法、锂离子电池。负极极片包括负极集流体和多层负极活性层,多层负极活性层依次为第1、第2、……、第n负极活性层,n≥2;第i和i‑1负极活性层分别包括第i和i‑1负极活性物质,且满足关系式①或②:①Ci>Ci‑1;②Ci=Ci‑1且SOCi>SOCi‑1;Ci和Ci‑1分别为第i和i‑1负极活性层的最小析锂倍率,SOCi和SOCi‑1分别为第i和i‑1负极活性层的临界析锂状态。
本发明授权一种负极极片及其制备方法、锂离子电池在权利要求书中公布了:1.一种负极极片,其特征在于,包括负极集流体和设置于所述负极集流体至少一面的多层负极活性层,多层负极活性层依次为第1、第2、……、第n负极活性层,n≥2,自第1负极活性层到第n负极活性层的方向为远离所述负极集流体的方向;第i负极活性层为从第2负极活性层至第n负极活性层中的任意负极活性层,第i负极活性层包括第i负极活性物质,第i-1负极活性层包括第i-1负极活性物质,所述第i负极活性物质包括第i颗粒,所述第i-1负极活性物质包括第i-1颗粒; 所述第i负极活性层和第i-1负极活性层满足以下关系式①或②: ①Ci>Ci-1; ②Ci=Ci-1且SOCi>SOCi-1; 其中,Ci为第i负极活性层的最小析锂倍率,Ci-1为第i-1负极活性层的最小析锂倍率;SOCi为第i负极活性层的临界析锂状态,SOCi-1为第i-1负极活性层的临界析锂状态; Ci和SOCi的测试计算步骤为: S1.单独采用所述第i负极活性物质制备第i负极活性层,并制成扣式电池; S2.将所述扣式电池在0.1C倍率下进行充电测试,得到该扣式电池的充电容量记作Qci; S3.将所述扣式电池在不同倍率下进行放电测试,直至所述扣式电池的放电曲线低于0V;所述不同倍率为a*C,其中a为0.1的整数倍,且a≥1; 当所述扣式电池的放电曲线低于0V时,对应的倍率记作第i负极活性物质的Ci;同时,该倍率下所述扣式电池放电曲线截至0V的放电容量记作第i负极活性物质的Qdi; S4.根据关系式SOCi=QdiQci,计算得到第i负极活性层的SOCi; 重复测试步骤S1~S4,得到第i-1负极活性层的Ci-1和SOCi-1; 所述第i颗粒和第i-1颗粒为一次颗粒,所述第i颗粒平均粒径为Di,所述第i-1颗粒平均粒径为Di-1,Di<Di-1; 或,所述第i颗粒和第i-1颗粒为二次颗粒,二次颗粒是由一次颗粒造粒形成,第i颗粒的一次颗粒平均粒径为Di,第i-1颗粒的一次颗粒平均粒径为Di-1,Di<Di-1; 或,所述第i颗粒和第i-1颗粒包括一次颗粒和二次颗粒,二次颗粒是由一次颗粒造粒形成,第i颗粒的一次颗粒平均粒径为Di,第i-1颗粒的一次颗粒平均粒径为Di-1,Di<Di-1。
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