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龙图腾网获悉中国科学技术大学苏州高等研究院;中国科学技术大学申请的专利一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121473004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018580.X，技术领域涉及：C30B29/54；该发明授权一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法是由高庆豪;王滢;李伟;杨俊川;江雷设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法，所述的制备方法包括：提供第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底；所述第一硅柱模版与所述第二硅柱模版上分别设置有第一硅柱阵列与第二硅柱阵列，所述第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底还分别设置有第一对准标记、第二对准标记与第三对准标记，基于不同有机半导体体系的熔点差异，通过分步熔融、定向结晶与对准控制，制得了具有确定晶体取向、可控结构尺寸的纵向异质结单晶阵列。相比于传统纵向异质结通常采用溶液法逐层制备，在形成第二层晶体时溶剂易对第一层晶体产生破坏，本发明利用熔点差异实现分步结晶，避免溶剂对第一层晶体的影响，具有可控性高、稳定性好及适用性强的优点。

本发明授权一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体纵向异质结单晶阵列的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括： 提供第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底； 所述第一硅柱模版包括第一模版本体，所述第一模版本体上设置有至少一个第一硅柱阵列，所述第一硅柱阵列包括呈阵列分布的若干个第一硅柱；所述第二硅柱模版包括第二模版本体，所述第二模版本体上设置有至少一个第二硅柱阵列，所述第二硅柱阵列包括呈阵列分布的若干个第二硅柱；所述第一硅柱阵列与所述第二硅柱阵列呈空间对称设置；所述基底上开设有若干个加注通孔，若干个所述加注通孔依次排列在所述基底的同一端；所述第一模版本体、所述第二模版本体与所述基底上分别设置有第一对准标记、第二对准标记与第三对准标记； 将所述基底覆盖于所述第一硅柱模版的上方，将所述第三对准标记与所述第一对准标记对齐，向所述基底施压，使其靠近所述第一硅柱模版，至少部分所述加注通孔与所述第一硅柱的一端一一对应，向所述加注通孔内添加第一有机粉料，并进行一次熔融处理，在若干个所述第一硅柱与所述基底的间隙形成第一单晶微米线阵列，拆除所述第一硅柱模版； 将带有第一单晶微米线阵列的基底覆盖于所述第二硅柱模版的上方，使得第一单晶微米线阵列靠近所述第二硅柱模版，将所述第三对准标记与所述第二对准标记对齐，向所述基底施压，使其靠近所述第二硅柱模版，至少部分所述加注通孔与所述第二硅柱的一端一一对应，向所述加注通孔内添加第二有机粉料，并进行二次熔融处理，在若干个所述第二硅柱与所述第一单晶微米线阵列之间形成第二单晶微米线阵列，拆除所述第二硅柱模版，得到纵向异质结单晶阵列； 所述第一有机粉料的玻璃转化温度大于所述第二有机粉料的玻璃化温度。

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