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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利高线性低噪声放大器及射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121485612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610015908.2，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权高线性低噪声放大器及射频芯片是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本高线性低噪声放大器及射频芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种高线性低噪声放大器及射频芯片，其包括依次电连接的输入匹配模块、功率放大模块和输出匹配模块；功率放大模块的第一MOS管的栅极连接第一电容的第一端，第一MOS管的源极分别连接第一电容的第二端、第一电感的第一端和第二电感的第一端，第一电感的第二端接地，第一电感与第二电感耦合；第二电感的第二端分别连接第二电容的第一端和第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极分别连接第二电容的第二端和第一MOS管的栅极，第二MOS管的漏极连接第一MOS管的漏极和第三MOS管的源极。本发明高线性低噪声放大器的增益可调，噪声低，线性度高，功耗低。

本发明授权高线性低噪声放大器及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种高线性低噪声放大器，其包括依次电连接的输入匹配模块、功率放大模块和输出匹配模块；所述输入匹配模块用于接入射频信号并实现输入阻抗匹配，所述功率放大模块用于对所述射频信号进行放大，所述输出匹配模块用于将经放大后的射频信号进行输出阻抗匹配后输出；其特征在于，所述功率放大模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电容、第二电容、第一电感以及第二电感； 所述第一MOS管的栅极作为所述功率放大模块的输入端，所述第一MOS管的源极分别连接所述第一电感的第一端和所述第二电感的第一端，所述第一MOS管的漏极连接至所述第三MOS管的源极；所述第一电容的第一端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一电容的第二端连接所述第一MOS管的源极；所述第一电感的第二端接地，所述第一电感与所述第二电感相互耦合；所述第二电感的第二端分别连接所述第二电容的第一端和所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极分别连接所述第二电容的第二端和所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的漏极分别连接所述第一MOS管的漏极和所述第三MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极作为所述功率放大模块的输出端，所述第三MOS管的栅极用于连接外部逻辑控制电路，并通过所述外部逻辑控制电路为所述第三MOS管的栅极提供偏置电压；所述第二MOS管用于提供一个工作状态以抵消所述第一MOS管产生的跨导非线性，实现所述第二MOS管与所述第一MOS管的跨导抵消；所述第二电感用于实现负反馈以改善阻抗点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳飞骧科技股份有限公司，其通讯地址为：518052 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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