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龙图腾网获悉电子科技大学成都学院申请的专利一种集成电路的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610036891.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种集成电路的制备方法是由牟一卉;高大伟;李洋;肖海龙;杨佳鑫;冯凌沂;王炜锟;张镇锡;钱棚;万磊设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成电路的制备方法，涉及集成电路技术领域；包括：预处理N型单晶硅衬底；淀积含CeO2等的SiO2‑Si3N4‑SiO2过渡层；低、高能量注入磷离子形成有源区；有源区表面依次淀积TiN屏障层、含纳米Cr等的TiMoV阻挡层；电镀Y等的CuMnFe互联层；退火；制备复合钝化内层的钝化结构。本发明的制备方法能够解决现有集成电路应用于汽车发动机舱时存在的低温启动故障率高、温变振动下互联层易失效、机油油污渗透导致漏电等问题，最终制备出满足汽车发动机舱‑35℃~120℃高低温循环、10‑2000Hz宽频振动及抗机油油污需求的集成电路，保障电子模块长期可靠运行。

本发明授权一种集成电路的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.衬底预处理：选取N型单晶硅衬底，对其功能面依次进行碱液清洗及氧气-氮气混合氛围等离子活化处理； S2.过渡层制备：在衬底功能面淀积30-40nm厚的SiO2-Si3N4-SiO2三层复合过渡层； 中间Si3N4层掺入CeO2、纳米Ti粉、LiAlO2纳米颗粒； S3.有源区形成：在过渡层表面设有源区区域，依次采用30-40keV低能量和80-100keV高能量注入磷离子； S4.屏障层制备：仅在有源区表面淀积4-6nm厚的TiN屏障层； S5.阻挡层制备：仅在TiN屏障层表面淀积15-20nm厚的TiMoV阻挡层，其中，TiMoV阻挡层中掺入纳米Cr粉、Y2O3纳米颗粒； S6.互联层制备：仅在TiMoV阻挡层表面，采用电镀工艺淀积250-300nm厚的CuMnFe互联层，电镀液中添加稀土Y、ZnSO4； S7.同步退火：将上述制备的结构进行三段式退火，第一段温度为250-300℃、第二段温度为820-850℃、第三段温度为400-450℃； 上述TiN扩散屏障层、TiMoV阻挡层、CuMnFe互联层在有源区表面共同形成台阶； S8.钝化层制备： S81.在台阶侧壁边缘淀积10-15nm厚的Si3N4钝化层； S82.在互联层表面及暴露的过渡层表面淀积100-120nm厚的AlN-Si3N4复合钝化内层；复合钝化内层中添加有纳米SiO2粉、AlN@MgO核壳颗粒； S83.在复合钝化内层表面涂覆80-100nm厚的氟碳树脂-PI共混钝化外层；共混钝化外层中掺入AlN纳米颗粒； S84.在共混钝化外层上开设多个散热通孔； 所述集成电路为汽车发动机舱专用集成电路。

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