买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121604472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610136600.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法是由蔡政坤;廖光朝;张伟;田甜设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面SiCMOSFET器件结构及其制造方法，该器件结构包括：衬底、位于所述衬底之上的外延层、位于所述外延层上的掺杂区和JFET区，其中，所述衬底为碳化硅SiC衬底，所述外延层为SiC外延层；所述JFET区位于所述掺杂区之间，且所述JFET区与所述掺杂区相接触；所述JFET区的上表面、所述掺杂区的上表面和所述外延层的上表面位于同一设定表面，所述设定表面为凹面；所述凹面的凹部覆盖所述JFET区和所述掺杂区的指定区域，所述指定区域为至少包含所述掺杂区的沟道的区域。通过该器件结构，在保障除导通电阻之外的其他器件性能的前提下，有效降低器件的导通电子。

本发明授权一种平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种平面SiCMOSFET器件结构，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底之上的外延层、位于所述外延层上的掺杂区和JFET区，其中，所述衬底为碳化硅SiC衬底，所述外延层为SiC外延层； 所述JFET区位于所述掺杂区之间，且所述JFET区与所述掺杂区相接触； 所述JFET区的上表面、所述掺杂区的上表面和所述外延层的上表面位于同一设定表面，所述设定表面为凹面； 所述凹面的凹部覆盖所述JFET区和所述掺杂区的指定区域，以通过所述凹面和所述凹部，降低器件结构的导通电阻，其中，所述指定区域为至少包含所述掺杂区的沟道的区域； 所述凹部的角度为1°~4°，以增加栅极下方的沟道、积累层及JFET区的电流密度，还能降低界面态密度，提高表面的载流子迁移率，以及引入拉应力，降低散射并减小电子有效质量，进一步提高迁移率； 所述凹部的深度范围为0.05um~0.2um；所述凹部为平坦的曲面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司，其通讯地址为：518122 广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区昌业路9号新宙邦科技大厦701；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。