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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121610887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610131078.X，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法是由张广宇;张泽盛;王国宾设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。该装置包括坩埚主体、设有开口的坩埚盖、籽晶杆和温度调节装置；籽晶杆的一端连接承载籽晶的籽晶托，生长过程中籽晶托置于坩埚主体内，另一端套设有温度调节装置；温度调节装置包括调节组件、连接组件和传动组件；调节组件由石墨软毡制成且中心设有通孔，籽晶杆穿过通孔；传动组件通过连接组件连接调节组件，并控制调节组件沿籽晶杆上下移动，实现轴向温度调控；调节组件在上下移动过程中呈收缩状态，在与坩埚盖或籽晶托接触时，通过传动组件实现调节组件的展开。本方案实现了晶体生长过程中的轴向温度调控。

本发明授权一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置，其特征在于，所述装置包括坩埚主体、设有开口的坩埚盖、籽晶杆、温度调节装置、轮换转盘和传感器模块； 所述籽晶杆的一端连接承载籽晶的籽晶托，生长过程中所述籽晶托置于坩埚主体内，另一端套设有所述温度调节装置； 所述温度调节装置包括调节组件、连接组件和传动组件； 所述调节组件由石墨软毡制成且中心设有通孔，所述籽晶杆穿过所述通孔；所述传动组件通过所述连接组件连接所述调节组件，并控制所述调节组件沿所述籽晶杆上下移动，实现轴向温度调控；其中，所述调节组件在上下移动过程中呈收缩状态，在所述调节组件移动至所述坩埚盖或所述籽晶托时，通过所述传动组件实现所述调节组件的展开，以使所述调节组件平铺在坩埚盖或籽晶托的上表面； 在所述调节组件能平铺在坩埚盖的上表面时，展开后的宽度大于坩埚盖的开口尺寸；在所述调节组件能平铺在籽晶托的上表面时，展开后的宽度与籽晶托的尺寸相同；所述连接组件包括机械连接绳和套环；所述机械连接绳的一端固定连接在所述调节组件的外边缘，另一端与所述套环连接；所述套环用于穿过所述籽晶杆，并与所述传动组件连接； 所述轮换转盘包括若干个不同的调节组件，用于通过旋转选择所需的调节组件进行轴向温度调控； 其中，获取传感器模块检测到的调节组件的当前位置；根据传感器模块实时检测的炉内压力与气流速度，动态调整调节组件的下降速度，直至达到目标表面；其中，目标表面为坩埚盖的上表面或籽晶托的上表面。

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