长鑫科技集团股份有限公司李红文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种电阻校准电路、存储器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121641139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610154880.0，技术领域涉及：G11C29/02；该发明授权一种电阻校准电路、存储器和电子设备是由李红文;饶晗设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电阻校准电路、存储器和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，针对于ZQ锁存命令的发送时机不当导致的阻值校准码锁定错误的问题，提供了一种电阻校准电路、存储器和电子设备，电阻校准电路包括：主校准电路，配置为在ZQ校准过程中，对阻值校准码进行调整；状态机，配置为产生校准状态信号；锁存控制电路，配置为接收ZQ锁存命令，对ZQ锁存命令和校准状态信号进行逻辑处理，产生目标锁存命令；目标锁存命令的脉冲后沿同步或延迟于校准状态信号的目标沿；锁存电路，配置为响应于目标锁存命令的脉冲后沿，对阻值校准码进行锁存，产生目标校准码，从而利用目标锁存命令而非直接利用ZQ锁存命令进行锁存，提高阻值校准码的锁定正确性，提高存储器的稳定性。
本发明授权一种电阻校准电路、存储器和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电阻校准电路，其特征在于，所述电阻校准电路包括： 主校准电路，配置为在ZQ校准过程中，对阻值校准码进行调整，直至目标电阻的阻值符合预设条件；其中，所述阻值校准码用于调整所述目标电阻的阻值； 状态机，配置为在ZQ校准过程中，产生第一状态的校准状态信号；在ZQ校准结束后，产生第二状态的校准状态信号； 锁存控制电路，与所述状态机连接，配置为接收ZQ锁存命令和所述校准状态信号，对所述ZQ锁存命令和所述校准状态信号进行逻辑处理，产生目标锁存命令；其中，所述目标锁存命令的脉冲后沿同步或延迟于所述校准状态信号的目标沿，所述目标沿是指从所述第一状态变化为所述第二状态； 锁存电路，与所述锁存控制电路和所述主校准电路连接，配置为接收所述目标锁存命令和所述阻值校准码，响应于所述目标锁存命令的脉冲后沿，对所述阻值校准码进行锁存，产生目标校准码。
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