上海车仪田科技有限公司刘新阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利半导体温度场的检测方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121655700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610171829.0,技术领域涉及:G01J5/00;该发明授权半导体温度场的检测方法和装置是由刘新阳;邢陈陈;张黎明设计研发完成,并于2026-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体温度场的检测方法和装置在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体检测技术领域,提供一种半导体温度场的检测方法和装置。该方法包括:对晶圆表面进行逐点扫描,获取晶圆表面各空间位置点的辐射信息;根据每个空间位置点的辐射信息依次分离出不同波长的辐射能量;基于各波长的辐射能量,生成每个空间位置点在多个波长下的辐射数据;协调逐点扫描与分离各波长的辐射能量的时序,使每个空间位置点匹配其对应的多波长辐射数据;获取多波长辐射数据,基于同一空间位置点的多波长辐射数据构建辐射方程组,根据辐射方程组同步反演计算晶圆表面各点的温度值。本发明用于半导体制造工艺过程中,对表面温度场进行无需依赖发射率预设参数的自适应、高可靠性非接触检测。
本发明授权半导体温度场的检测方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体温度场的检测方法,应用于半导体温度场的检测装置,其特征在于,该方法包括: 对晶圆表面进行逐点扫描,获取晶圆表面各空间位置点的辐射信息; 根据每个空间位置点的辐射信息依次分离出不同波长的辐射能量; 基于各波长的辐射能量,生成每个空间位置点在多个波长下的辐射数据; 协调所述逐点扫描与分离各波长的辐射能量的时序,使每个空间位置点匹配其对应的多波长辐射数据; 获取所述多波长辐射数据,基于同一空间位置点的多波长辐射数据构建辐射方程组,根据所述辐射方程组同步反演计算晶圆表面各点的温度值,包括:为每个空间位置点建立发射率波长模型,所述发射率波长模型采用波长的一次函数表达;基于普朗克辐射定律,结合所述发射率波长模型构建理论辐射强度模型;定义优化准则,以理论辐射强度与实测辐射强度的偏差平方和最小为求解目标;通过迭代优化方法求解温度参数和发射率模型系数,所述迭代优化方法包括参数初始化、计算更新量、参数更新和收敛性判断步骤;当迭代参数变化量或残差小于预设阈值时终止迭代,输出该空间位置点的温度值和发射率模型参数;基于所述发射率模型参数计算该空间位置点在各波长下的发射率值。
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