青禾晶元(天津)半导体材料有限公司胡智峰获国家专利权
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龙图腾网获悉青禾晶元(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121772710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610243827.8，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆是由胡智峰;高文琳;刘福超;母凤文设计研发完成，并于2026-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工制造技术领域，本发明提供了一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆，该制备方法包括在第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅，得到第一键合体；提供设置有埋氧层的支撑衬底作为第二键合体，对第一键合体与第二键合体实施键合，得到键合结构；再依次去除键合结构中的第一衬底、氮化铝层与氧化铝层，暴露出顶层硅，得到SOI材料。通过外延生长、键合与去除工艺的搭配来替代并省略离子注入工艺，可以避免引入各种缺陷造成的性能问题，且有利于实现对顶层硅厚度和埋氧层质量的精确控制，还有利于降低工序的复杂度和工艺成本，特别适用于300mm及以上大尺寸SOI晶圆的批量生产。
本发明授权一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆在权利要求书中公布了：1.一种SOI材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 提供第一衬底，在所述第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅，得到第一键合体； 提供设置有埋氧层的支撑衬底，作为第二键合体； 将所述顶层硅的表面与所述埋氧层的表面相接触，对所述第一键合体与所述第二键合体实施键合，得到键合结构； 依次去除键合结构中的第一衬底、氮化铝层与氧化铝层，暴露出顶层硅，得到SOI材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青禾晶元(天津)半导体材料有限公司，其通讯地址为：300451 天津市滨海新区滨海高新区滨海科技园汉港路与高泰道交口高泰道4号10号厂房-101、102；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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