中国科学院高能物理研究所王聪聪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种含透明电极的碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310712127.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种含透明电极的碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用是由王聪聪;史欣设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含透明电极的碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及探测器技术领域，提供一种含透明电极的抗辐照碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用，所述芯片是从顶部表面垂直入射的探测器芯片，从顶部到底部包括：第一电极、透明电极、欧姆接触层、本征层、碳化硅衬底和第二电极；所述第一电极整体呈环形结构，其环形部位于所述透明电极边缘处且与所述第一电极之间为欧姆接触；所述透明电极与所述欧姆接触层之间形成电偶极层，用于接收光子或者高能粒子并进行载流子传输。本发明中制得的碳化硅探测器芯片不仅可以满足重离子探测、核反应堆探测和基于紫外激光的瞬态电流技术TCT的碳化硅探测器性能测试应用需求，而且该碳化硅探测器对穿过粒子的时间分辨性能和位置分辨性能也显著提升。
本发明授权一种含透明电极的碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅探测器芯片，所述芯片是从顶部表面垂直入射的探测器芯片，其特征在于，从顶部到底部包括：第一电极、透明电极、欧姆接触层、本征层、碳化硅衬底和第二电极； 所述第一电极整体呈环形结构，其环形部位于所述透明电极边缘处且与所述第一电极之间为欧姆接触； 所述透明电极与所述欧姆接触层之间形成电偶极层，用于接收光子或者高能粒子并进行载流子传输；所述欧姆接触层为P型重掺杂碳化硅层，厚度为0.2μm~5μm，其平均掺杂浓度为1×1018cm-3~1×1020cm-3； 所述透明电极为石墨烯透明电极、黑磷透明电极或者二硫化钼透明电极；所述透明电极的厚度为0.2nm~5nm； 所述碳化硅探测器芯片的制备方法包括：在所述透明电极上制作所述第一电极，且制作所述第一电极时采用的退火温度为300℃~800℃。
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