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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116755137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310556797.2，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路是由姜潮;邱添;王中华设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路在说明书摘要公布了：一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路，包括：偏置电路为NMOS管栅极提供阶梯式偏置电压；阶梯偏置切换电路接收NMOS晶体管感应信号，并切换偏置电压给NMOS晶体管辐射感应阵列电路；感应阵列电路通过核辐射源对自身NMOS晶体管的辐射损伤，对NMOS晶体管阈值电压的影响指示电路板电离辐射总剂量等级；FPGA补偿控制电路接收来自感应阵列电路输出的电平变化信号，输出对应大小的核辐射总剂量，对数字电位器输出补偿控制信号，通过修改数字电位器对辐射损伤电信号输出阻值进行补偿。本发明利用NMOS晶体管的阈值电压辐射损伤效应，在核辐射环境下评估当前电路板受辐射总剂量的定点大小，为FPGA辐射补偿电路提供指示信号，具有低功耗、强鲁棒性等优点。

本发明授权一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路，包括： 偏置电压电路，阶梯偏置切换电路，NMOS晶体管辐射感应阵列电路和FPGA补偿控制电路， 所述偏置电路由多个电阻串联构成，各个电阻分压为NMOS晶体管辐射感应阵列电路中NMOS管的栅极提供阶梯式的偏置电压，由阶梯偏置切换电路切换，通过调整电阻的大小控制偏置电压大小； 所述阶梯偏置切换电路接收来自NMOS晶体管辐射感应阵列电路中的NMOS晶体管感应信号，并切换偏置电压给NMOS晶体管辐射感应阵列电路； 所述NMOS晶体管辐射感应阵列电路通过核辐射源对自身NMOS晶体管的辐射损伤，对NMOS晶体管阈值电压的影响指示电路板电离辐射总剂量等级； 所述FPGA补偿控制电路由FPGA基本单元及数字电位器组成，所述FPGA基本单元接收来自NMOS晶体管辐射感应阵列电路输出的电平变化信号，根据电平变化的不同IO口，输出对应大小的核辐射总剂量；同时所述FPGA基本单元对所述数字电位器输出补偿控制信号，通过修改数字电位器对辐射损伤电信号输出阻值进行补偿； 所述NMOS晶体管辐射感应阵列电路由多个NMOS晶体管并联构成，栅极连接偏置电阻分压的标定电压或直接接地，并通过阶梯偏置切换电路控制切换逻辑，漏极连接阶梯偏置切换电路的控制选择端口，并通过上拉电阻稳定高电平，源极直接接地；所述多个NMOS晶体管中的第一个NMOS晶体管栅极直接连接设定好的启动电压，NMOS晶体管辐射感应阵列电路的漏极由核辐射发生电平变化，通过并行连接到FPGA补偿控制电路的IO口。

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