昆明理工大学杨盛安获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116782747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310992125.6,技术领域涉及:H10N50/01;该发明授权柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法是由杨盛安;董之亮;马吉;陈清明;陈瑞;张辉;伍亮;郭娜君设计研发完成,并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法,包括以下步骤:组分设计、前驱体制备、前驱体过滤、湿膜旋涂与干膜定型、单膜层烧结、多膜层循环和单层弥散态金属复合相制备。本发明制得的薄膜可在不同角度且低值外磁场作用下,获得超大各向异性磁电阻性能,不但响应温度可达到近室温范围,还具有出色的输运性质和高强度、高韧性、高柔性等优点。此外,本发明所提供的制备工艺简便、可控性强,具有广泛的应用前景,尤其在角度传感器和电子罗盘等定位器件上能够得到重大的推广和应用。
本发明授权柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法在权利要求书中公布了:1.柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 1组分设计:以Re1-xAexTmO3为组分,Re是稀土元素,Ae是碱土元素,Tm是过渡金属元素,根据前驱体溶液摩尔浓度和化学计量比计算称量稀土原料、碱土原料和过渡金属原料,以获得各起始原料; 2前驱体制备:采用非水基溶胶凝胶工艺制备前驱体,将步骤1所得各起始原料溶于定量溶剂内,以200rapmin-500rapmin的搅拌速率搅拌20min-30min形成前驱体溶液,后加入分散剂、螯合剂、粘结剂于前驱体溶液中,加入定量溶剂使前驱体溶液达到定容标准,后以300rapmin-800rapmin的搅拌速率搅拌12h以下,得表观粘度为0.35Mpa·S-4.00Mpa·S的前驱体; 3前驱体过滤:将步骤2所得前驱体抽取、过滤后得到溶质含量为85%-95%的Re1-xAexTmO3过滤溶液,后置于真空度为5MPa-8MPa、温度为30℃-40℃的真空干燥环境中除泡5h以下,后陈化30h以下,获得高纯前驱体; 4湿膜旋涂与干膜定型:选取不同衬底,对衬底进行退火处理,后将衬底置于旋涂设备上,将步骤3所得高纯前驱体均匀地涂布于衬底上,后进行旋涂得到湿膜,后把湿膜置于干燥环境中进行干燥定型得到干膜; 5单膜层烧结:将步骤4所得干膜进行烧结处理制得单膜层,烧结处理温度为800℃-1500℃,升温速率为5℃min-30℃min,烧结时间为10min以上; 6多膜层循环:将步骤4与5作为工艺循环往复单元,循环次数为a次,a≥1,可制得以单膜层为最小单元叠加而成的多膜层; 7单层弥散态金属复合相制备:通过物理溅射方案对金属靶材进行溅射处理,溅射时长为10s-1000s,在步骤6所得任意层数的多层膜表面得到具有弥散态分布的金属颗粒,金属颗粒粒径范围为10nm-500nm,后对金属颗粒进行烧结处理II,获得单层弥散态金属复合相,烧结处理II温度为300℃-700℃,升温速率为3℃min-30℃min,烧结时间为10min-100min,获得含金属复合相过渡材料; 8多膜层循环:在步骤7所制得的含金属复合相过渡材料的基础上再重复步骤6b次,b≥1,获得多膜层异质结构复合薄膜。
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