买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117219615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210610533.6，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘佑铭;蒋懿;肖德元;邵光速设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线与位线插塞之间的接触电阻较大的技术问题，该半导体结构包括：衬底，衬底上设置有第一叠层结构，第一叠层结构包括存储单元阵列；多条间隔设置且沿第一方向延伸的字线；多条间隔设置且沿第二方向延伸的位线，多条位线远离存储单元阵列的一端在第一方向形成台阶，且每条位线在台阶的表面上设置有凹槽，第二方向与第一方向互相交叉；多个间隔设置且沿第一方向延伸的位线插塞，每个位线插塞的一端对应设置在一条位线的凹槽内。通过在位线的表面上设置凹槽，增加了位线与位线插塞的接触面积，减小了位线与位线插塞之间的接触电阻，从而提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上设置有第一叠层结构，所述第一叠层结构包括存储单元阵列； 多条间隔设置且沿第一方向延伸的字线，所述字线穿过所述第一叠层结构且与所述存储单元阵列电性连接； 多条间隔设置且沿第二方向延伸的位线，所述位线设置在所述第一叠层结构的旁侧且与所述存储单元阵列电性连接；多条所述位线远离所述存储单元阵列的一端在所述第一方向形成台阶，且每条所述位线在所述台阶的表面上设置有凹槽，所述第二方向与所述第一方向互相交叉； 多个间隔设置且沿所述第一方向延伸的位线插塞，每个所述位线插塞的一端对应设置在一条所述位线的所述凹槽内； 所述存储单元阵列包括多个晶体管，所述晶体管包括：源极； 漏极，所述源极和所述漏极中的一极与所述位线电性连接； 多个所述晶体管沿所述第一方向间隔排布，且沿所述第二方向间隔排布，每个所述晶体管沿第三方向延伸； 所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向均垂直； 多个支撑层，所述支撑层设置在沿所述第一方向相邻的两行所述晶体管之间； 其中，所述位线和与其连接的所述源极和所述漏极中的一极一体成型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。