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龙图腾网获悉禾洛半导体(徐州)有限公司申请的专利TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117238826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211728380.1，技术领域涉及：H10P72/78；该发明授权TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法是由刘勇志;吴伟传设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法，包括实时数值变形模式公式调整方法和预先侦测区域性调整方法，实时数值变形模式公式调整方法采用自动侦测技术，并根据抛物线模型推算变形模式的模型，以预测计算出TRAY盘中所有芯片调整后的吸取深度；预先侦测区域性调整方法将TRAY盘进行区域划分，划分为若干区域，并采用自动侦测技术计算出每个区域内的中心位置的吸取深度作为该区域内所有芯片的吸取深度。本发明通过实时数值变形模式公式调整方法和预先侦测区域性调整方法，自动调整变形状态下的TRAY盘载具的吸取深度，可以快速有效的实现对TRAY盘变形载具中的IC芯片进行自动吸取，以大大提高生产效率。

本发明授权TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法在权利要求书中公布了：1.TRAY盘变形状态下自动调整芯片吸取深度的方法，其特征在于：包括实时数值变形模式公式调整方法和预先侦测区域性调整方法，所述实时数值变形模式公式调整方法采用自动侦测技术，并根据抛物线模型推算变形模式的模型，以预测计算出所述TRAY盘中所有芯片调整后的吸取深度；所述预先侦测区域性调整方法将所述TRAY盘进行区域划分，划分为若干区域，并采用所述自动侦测技术计算出所述每个区域内的中心位置的吸取深度作为该区域内所有芯片的吸取深度；所述实时数值变形模式公式调整方法和所述预先侦测区域性调整方法自由切换； 所述实时数值变形模式公式调整方法，包括以下步骤： 步骤1：采用所述自动侦测技术，计算所述TRAY盘变形后的吸取深度； 步骤2：根据芯片在所述TRAY盘中的位置，推算所述变形模式的模型； 步骤3：根据所述变形模式的模型，计算所有芯片调整后的吸取深度； 所述步骤1中的自动侦测技术的方法包括以下步骤： 步骤101：吸嘴从标准吸取深度上升一预设上升值作为自动侦测吸取起始深度； 步骤102：所述吸嘴开始以一预设位移值逐步位移下探，并通过真空值传感器检测是否到达有效值； 步骤103：当所述真空值传感器检测到有效值时，记录下探位移步数，并根据所述下探位移步数和预设位移值计算出位移深度； 步骤104：计算变形后的吸取深度，通过所述自动侦测吸取起始深度加上所述步骤103中的位移深度即可得到所述变形后的吸取深度； 所述步骤2中的变形模式的模型采用开口向上的抛物线模型，以所述TRAY盘的长度的中心位置为轴对称、将所述TRAY盘分为递深区和递浅区，在所述递深区内，吸嘴的吸取深度逐渐下沉；在所述递浅区内，吸嘴的吸取深度逐渐上升。

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