温州大学新材料与产业技术研究院张礼杰获国家专利权
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龙图腾网获悉温州大学新材料与产业技术研究院申请的专利一种薄层二维氧化物材料及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311367612.X，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种薄层二维氧化物材料及其制备和应用是由张礼杰;王佩剑;洪煜堃设计研发完成，并于2023-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄层二维氧化物材料及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄层二维氧化物材料及其制备和应用，通过先对衬底进行气体等离子体处理，再在经气体等离子处理后的衬底上化学气相沉积氧化物，从而能够生长薄层二维氧化物材料，尤其适合生长厚度可控的薄层二维高介电常数氧化物材料。该薄层二维氧化物材料为树立着的薄层且斜向生长在衬底上，比一般CVD生长的氧化物材料更薄，且易于转移，适合用于制作高性能低功耗忆阻器，同时也可以扩展应用于鳍式场效应晶体管的制备中。
本发明授权一种薄层二维氧化物材料及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种薄层二维氧化物材料，其特征在于，为通过化学气相沉积在经气体等离子体处理的硅片衬底上形成的薄层二维氧化物材料，所述二维氧化物材料为树立着的薄层且斜向生长在所述经气体等离子体处理的硅片衬底上，所述气体为氩气、空气、氧气或氮气，所述等离子体处理的功率为30~100W，时间为5~20min，所述气体通入的流量为5~20sccm，所述氧化物为三氧化钼、氧化铋或氧化锑。
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