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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117712027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211095105.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由冯道欢设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成堆叠层于衬底上，所述堆叠层包括沿第一方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层，所述堆叠层包括沿第二方向间隔排布的多个存储区域；去除所述存储区域的部分所述牺牲层，形成位于相邻所述层间绝缘层之间的第一沟槽；形成晶体管结构于所述第一沟槽内，所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结构的电性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 形成堆叠层于所述衬底上，所述堆叠层包括沿第一方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层，所述牺牲层包括沿所述第一方向依次叠置的第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，所述堆叠层包括沿第二方向间隔排布的多个存储区域，所述存储区域包括晶体管区域、以及沿第三方向位于所述晶体管区域一侧的位线区域，其中，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直，所述第二方向与所述衬底的顶面平行，所述第三方向与所述衬底的顶面平行，且所述第二方向与所述第三方向相交； 刻蚀所述堆叠层，形成位于沿所述第二方向相邻的所述存储区域之间的隔离槽； 形成填充满所述隔离槽的隔离层； 去除位线区域的所述堆叠层，形成位线槽； 沿所述位线槽去除所述晶体管区域的所述第二牺牲层，于所述晶体管区域内形成位于所述第一牺牲层和所述第三牺牲层之间的第一沟槽； 形成晶体管结构于所述第一沟槽内，所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构； 形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。

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