上海天岳半导体材料有限公司张林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118961351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411006313.8，技术领域涉及：G01N1/34；该发明授权一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底是由张林;隋晓明;刘硕;李治刚;王颖慧;谷容田设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底在说明书摘要公布了：本申请公开了一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底，属于碳化硅检测技术领域。该清洗方法包括下述步骤：1采用氨水和双氧水的混合液对衬底的表面进行清洗，以对衬底表面进行预氧化；2采用臭氧水对预氧化的衬底进行清洗，得到含有氧化层的衬底；3采用pH为2.0‑3.5的酸性清洗液对含有氧化层的衬底进行清洗，之后再经水洗、吹干后得到清洗完成的碳化硅衬底。该方法能够改变衬底表面氧化层的Zeta电位，使得衬底表面电位不低于0mV，从而减少吸笔上带正电荷的颗粒吸附，达到完全去除吸笔印记的技术效果，提高碳化硅衬底的品质。
本发明授权一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底在权利要求书中公布了：1.一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法，其特征在于，包括下述步骤： 1采用氨水和双氧水的混合液对衬底的表面进行清洗，以对衬底表面进行预氧化； 2采用臭氧水对预氧化的衬底进行清洗，得到含有氧化层的衬底，所述臭氧水中臭氧的浓度为50-70ppm； 3采用pH为2.0-3.5的酸性清洗液对含有氧化层的衬底进行清洗，所述酸性清洗液包括体积比为3-5.5：5的浓盐酸和氢氟酸，之后再经水洗、吹干后得到清洗完成的碳化硅衬底，清洗完成的碳化硅衬底表面的Zeta电位为1.8mV-30mV。
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