芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司赵炆兼获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120165299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510330306.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由赵炆兼设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及垂直腔面发射激光器及其制备方法，具体包括依次层叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，还层叠有电流注入阻隔层，电流注入阻隔层内形成有电流注入通道；位于第二导电半导体层的上表面侧的第二电极接触部、透明导电薄膜和重掺杂半导体材料部；其中，沿层叠方向上，重掺杂半导体材料部的投影落入电流注入通道的投影的范围内，第二电极接触部的投影与电流注入通道的投影不重合；透明导电薄膜的一部分与第二电极接触部导电连接，另一部分通过重掺杂半导体材料部与第二导电半导体层导电连接。如此，更好地实现了对电流分布的控制，优化了VCSEL的出光发散角。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 依次层叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，在所述第一导电半导体层和所述有源层之间和或所述第二导电半导体层和所述有源层之间还层叠有电流注入阻隔层，所述电流注入阻隔层内形成有电流注入通道，所述第二导电半导体层具有远离所述电流注入阻隔层的上表面； 位于所述第二导电半导体层的上表面侧的第二电极接触部、透明导电薄膜和重掺杂半导体材料部； 其中， 沿层叠方向上，所述重掺杂半导体材料部的投影落入所述电流注入通道的投影的范围内，所述第二电极接触部的投影与所述电流注入通道的投影不重合； 所述透明导电薄膜的一部分与所述第二电极接触部导电连接，另一部分通过所述重掺杂半导体材料部与所述第二导电半导体层导电连接；流入所述第二导电半导体层的电流通过所述电流注入通道进入所述有源层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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