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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120382425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510510798.2，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺是由管迎春;马毅设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺。此工艺首先通过高温下离子注入或化学溶液对晶圆双面进行活化处理，软化表层材料以降低加工难度；随后将晶圆固定于激光改性腔室，通过动态循环腐蚀液同步更新腔室内溶液并清除激光副产物；然后利用两束超快激光分别对晶圆上下表面进行同步扫描，第一阶段采用非线性路径实现双面高效减薄，第二阶段切换为线性平行路径并调整晶圆方向，完成微结构的形貌调控及双面的精密修整；最后通过双面化学机械抛光CMP去除余量，获得目标减薄量及原子级平坦表面。本工艺通过双面协同加工与动态腐蚀液控制，兼具高效性、低损伤性与高精度优势，适用于碳化硅、氮化镓等硬脆半导体材料的规模化减薄制造。

本发明授权一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于超快激光的硬脆半导体衬底双面减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤： 1对硬脆半导体切割片进行双面活化处理，在高温条件下，通过离子注入技术或化学溶液浸泡使双面表层材料软化，所述高温温度范围为50-100℃，离子注入活化处理采用体积比3:1的氩氧混合气体等离子体，注入能量20-200keV，处理时间5-20min；化学活化采用体积比1:4-1:8的氢氟酸与双氧水混合溶液，浸泡时间5-10min； 2将活化后的晶圆固定于激光改性腔室的定位装置中，所述腔室内置送液装置与抽滤装置，通过动态循环更新蚀刻液以维持浓度稳定性，所述蚀刻液为氢氟酸、硝酸、硫酸、去离子水的混合溶液，其中氢氟酸、硝酸、硫酸、去离子水体积占比分别为15-20vol%、30-40vol%、0-10vol%和30-55vol%； 3开启超快激光1和超快激光2，分别对晶圆上表面和下表面进行同步扫描；第一阶段减薄：超快激光1以非线性路径扫描上表面，超快激光2以非线性路径同步扫描下表面；直至双面减薄深度均达40±0.5μm；第二阶段减薄：调节激光能量密度，通过定位装置将晶圆旋转90°，超快激光1和超快激光2切换为线性平行路径扫描，直至双面减薄深度达4±0.5μm； 4将减薄后的晶圆进行双面化学机械抛光CMP，最终实现总减薄量100±0.5μm及表面粗糙度Ra1nm的原子级平坦表面。

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