北京集成电路装备创新中心有限公司焦芳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利浅沟槽隔离结构的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812814.3，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权浅沟槽隔离结构的工艺方法是由焦芳;贾燕伟设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅沟槽隔离结构的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种浅沟槽隔离结构及其工艺方法。浅沟槽隔离结构包括沟槽和填充结构；沟槽的底部具有竖直侧壁，沟槽的顶部为梯形开口，梯形开口由外而内逐渐扩大，且梯形开口的倾斜侧壁与竖直侧壁相交；填充结构填充于沟槽。浅沟槽隔离结构的工艺方法包括：向工艺腔室内通入工艺气体以激发产生等离子体，对衬底进行垂直轰击；逐渐调整等离子体的轰击角度，对沟槽的侧壁底部进行倾斜轰击；降低射频功率，并逐渐调整等离子体的轰击角度，对沟槽的侧壁顶部进行倾斜轰击；填充步，向沟槽内填充绝缘材料。本发明提供的浅沟槽隔离结构及其工艺方法，填充缺陷率低，显著提升了浅沟槽隔离的可靠性和良率。
本发明授权浅沟槽隔离结构的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括： 第一刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体以激发产生等离子体，对衬底进行垂直轰击，以形成沟槽的初始形貌；其中，所述沟槽的初始形貌呈U形； 第二刻蚀步，逐渐调整所述等离子体的轰击角度，对所述沟槽的侧壁底部进行倾斜轰击，以扩宽所述沟槽的底部，形成竖直侧壁； 第三刻蚀步，降低射频功率，并逐渐调整所述等离子体的轰击角度，对所述沟槽的侧壁顶部进行倾斜轰击，以形成梯形开口； 填充步，向所述沟槽内填充绝缘材料。
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