无锡利普思半导体有限公司丁烜明获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡利普思半导体有限公司申请的专利一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120928092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511354226.6,技术领域涉及:G01R31/00;该发明授权一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法是由丁烜明;洪文成设计研发完成,并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法在说明书摘要公布了:本发明涉及电力电子设备技术技术领域,提供了一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法,包括如下步骤1、针对功率模块中每一个并联的IGBT芯片,分别确定两个关键温度监测点,步骤2、完成温度传感器装配的功率模块置于等效测试工况下,施加规定的电气负载,以模拟其真实运行条件,步骤3、依据每个温度传感器在标定过程中获得的温度灵敏度系数,将步骤2所采集的光学信号转换为温度数值,步骤4、对步骤3获得的大量原始结温数据进行处理与深度分析,本发明中不仅输出结温数据,更通过后续数据处理,提取包括最大结温、芯片间温差、温度不平衡度、热时间常数、瞬态温度变化率极值在内的多项关键特征参数。
本发明授权一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法在权利要求书中公布了:1.一种功率模块多芯片并联实时结温的监测方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1、针对功率模块中每一个并联的IGBT芯片,分别确定两个关键温度监测点,即IGBT元胞区与反并联二极管区;选用温度传感器,将其稳固安装于各芯片监测点处,并保证温度传感器与芯片表面间具有可靠的热接触; 步骤2、完成温度传感器装配的功率模块置于等效测试工况下,施加规定的电气负载,以模拟其真实运行条件,通过光纤解调仪实时采集各温度传感器反馈的光学信号,记录其波长随时间的变化; 步骤3、依据每个温度传感器在标定过程中获得的温度灵敏度系数,将步骤2所采集的光学信号转换为温度数值,生成每个IGBT芯片在不同功能区上的实时结温数据; 步骤4、对步骤3获得的大量原始结温数据进行处理与深度分析,提取表征模块热行为的关键特征,并自动生成可供工程决策的结构化测试报告; 所述步骤4具体包括:数据滤波:采用Savitzky-Golay滤波器对原始温度数据进行平滑处理, 稳态结温提取:在负载稳定阶段,取一个足够长时间窗口内温度数据的平均值作为该工况下的稳态结温值,计算公式为:,其中,为稳定时间窗口内的总采样点数;为第j个采样点的温度值; 瞬态温变分析:提取开关过程中的温度变化率,计算公式为:,其中为时间值;为温度值; 温度分布一致性计算:为评估多芯片并联时的均流和散热均衡性,计算所有芯片的同一功能区在相同时刻的温度标准差,表达式为:,其中,为第个测量点的温度,每个测量点的温度值,为是所有测量点的平均温度,为测量点的数量; 所述步骤4从处理后的数据中进一步提取以下关键特征, 最大结温:所有芯片在所有功能区在稳态工作下的最高结温值; 芯片间最大温差:定义为所有被测点中同一时刻的最高温度与最低温度之差;表达式为,反映了模块内部温度分布的极端差异; 温度不平衡度:一个表征芯片间温度分布均匀性的归一化指标,计算公式为,其中为平均结温; 热时间常数:通过指数函数T对芯片的温度上升响应曲线进行非线性拟合得到,为热时间常数,表示芯片温度从初始状态达到稳态的快慢程度;B为稳态温度,A反映温度变化幅度; 温度变化率极值:在整个测试过程中,温度随时间变化率的最大绝对值。
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