博康(嘉兴)半导体科技有限公司张健智获国家专利权
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龙图腾网获悉博康(嘉兴)半导体科技有限公司申请的专利一种优化双显影晶圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120993684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511319059.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种优化双显影晶圆加工工艺是由张健智;林勇斌设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化双显影晶圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明提出一种优化双显影晶圆加工工艺，具体涉及于半导体加工技术领域,所述优化双显影晶圆加工工艺包括以下步骤：S1.对晶圆表面进行清洗，清洗完毕后进行HMDS涂覆；S2.根据最佳转速与膜厚度的curve曲线确定膜厚度，并确定最佳软烤温度和最佳软烤时间，并进行光刻胶涂覆；S3.确认预显影最佳时间，并进行预显影处理，并破坏光刻胶上层的分子结构，并形成初步图形；S4.测试最佳曝光条件，对预显影处理后的光刻胶进行曝光处理；S5.在曝光处理后，测试最佳二次显影条件并进行显影前烘烤，随后进行二次显影处理，并使得图形成倒牛角形状的剖面形貌，降低了后续的Lift‑off工艺的工作难度，提升产品良品率。
本发明授权一种优化双显影晶圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种优化双显影晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1.对晶圆表面进行清洗，清洗完毕后进行HMDS涂覆； S2.根据最佳转速与膜厚度的curve曲线确定膜厚度，并确定最佳软烤温度和最佳软烤时间，并进行光刻胶涂覆； S3.确认预显影最佳时间，并进行预显影处理，并破坏光刻胶上层的分子结构，并形成初步图形； 所述S3步骤中确认预显影最佳时间包括： 以预显影时间60s作为中心值，以每5s为一组梯度变化，递增至100s和递减至40s； 使用CDSEM量测设备测量CD确认预显影时间改变后线宽的变化； 根据FIB分析或TEM分析形貌确定最佳显影时间； S4.测试最佳曝光条件，对预显影处理后的光刻胶进行曝光处理； S5.在曝光处理后，测试最佳二次显影条件并进行显影前烘烤，随后进行二次显影处理，并使得图形成倒牛角形状的剖面形貌。
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