合肥晶合集成电路股份有限公司柳川洋获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511564115.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体装置及其制造方法是由柳川洋设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，制造方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上设置有栅极；在栅极至少一侧的衬底中采用同一个光罩依次形成阱区和LDD层，与现有技术相比，本发明取得了意想不到的技术效果：可减少高压半导体器件制造过程中所使用的光罩数量，从而可降低半导体装置的制造成本。
本发明授权一种半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底上设置有栅极； 在所述栅极至少一侧的衬底中，以所述栅极为掩模的一部分，采用同一个光罩依次形成阱区和LDD层，其中，形成阱区和LDD层的具体方法包括：以所述光罩、以及所述栅极的栅极绝缘层和多晶硅层为掩模，进行第一离子注入工艺，在所述衬底中形成所述阱区；以所述光罩、以及所述栅极的栅极绝缘层和多晶硅层为掩模，进行第二离子注入工艺，在所述阱区中形成所述LDD层，所述LDD层的导电类型与所述阱区的导电类型相反； 在所述阱区中形成漏极层； 在所述漏极层上形成漏电极层，其中，形成所述漏电极层的步骤包括：在所述衬底上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层覆盖靠近所述栅极的部分所述漏极层，以所述图案化的光刻胶层为掩模形成漏电极层，使得所述漏电极层靠近所述栅极一侧的端部位于所述漏极层靠近所述栅极一侧端部的内侧，从而使所述漏电极层与所述衬底中残留的LDD层间隔设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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