广东工业大学张紫辉获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510917669.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法是由张紫辉;楚春双;田康凯;蒋垚;黄福平设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法，所述LED器件从下至上依次为：衬底、缓冲层、电子传输层、有源区、电子阻挡层、空穴注入层、欧姆接触层，n型光吸收层、绝缘层、p型欧姆电极、n型欧姆电极、反射镜电极，电子传输层部分暴露，暴露部分上表面覆盖有n型欧姆电极，空穴注入层中刻蚀有至少一个凹槽，凹槽中沉积有n型光吸收层，空穴注入层和n型光吸收层上覆盖有p型欧姆电极。本发明有利于空穴垂直准垂直地注入到有源区，提高有源区中空穴浓度，空穴可以水平注入到金属‑半导体界面，提高p型半导体层表面空穴浓度，降低界面势垒，光子‑空穴转换过程有效抑制声子产生，降低器件结温，提高器件热稳定性。
本发明授权具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件，其特征在于，所述深紫外LED器件由下而上依次包括：衬底、缓冲层、电子传输层、有源区、电子阻挡层、空穴注入层、n型光吸收层、绝缘层、p型欧姆电极、n型欧姆电极、反射镜电极； 所述电子传输层部分暴露，暴露部分的电子传输层上表面覆盖有n型欧姆电极，所述空穴注入层中刻蚀有至少一个凹槽，凹槽中沉积有n型光吸收层，空穴注入层和n型光吸收层上覆盖有p型欧姆电极。
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