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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511122352.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质是由涂天佑设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室、水平度和或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质。所提供的半导体工艺腔室，包括：腔体，所述腔体内设有被测物体；多组测距传感器，设于腔体的内侧壁，多组所述测距传感器沿着腔体的高度方向间隔设置，每组测距传感器均包括多个测距传感器，多个测距传感器沿所述腔体的周向间隔布置，且每组中的多个测距传感器处于同一水平面；利用多组测距传感器检测所述被测物体的水平度和或对中性。本发明可以实现在线检测腔室内各组件的安装的对中性和水平度以及运动过程中的对中性和水平度，提高检测的精准度。

本发明授权半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括： 腔体，所述腔体内设有被测物体； 多组测距传感器，设于所述腔体的内侧壁，多组所述测距传感器沿着所述腔体的高度方向间隔设置，每组所述测距传感器均包括多个测距传感器，多个所述测距传感器沿所述腔体的周向间隔布置，且每组中的多个所述测距传感器处于同一水平面； 利用多组所述测距传感器检测所述被测物体的水平度和或对中性； 其中，利用多组所述测距传感器检测所述被测物体的水平度时，利用多组测距传感器分别获取各组测距传感器与被测物体对应不同高度边缘之间的距离，将所获取的多组距离值进行比较，判断被测物体的水平度是否满足要求； 利用多组所述测距传感器检测所述被测物体的对中性时，利用每组中的多个测距传感器分别获取各个测距传感器与被测物体对应边缘之间的距离，将所获取的多个距离值进行比较，判断被测物体的对中性是否满足要求； 在检测水平度或对中性的方法过程中包括两种状态，所述两种状态包括静态状态和动态状态； 在所述静态状态中，所述半导体工艺腔室为准备执行工艺状态，所述被测物体为静态件； 在所述动态状态中，所述半导体工艺腔室为正在执行工艺状态，所述被测物体为动态件。

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