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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体器件特征尺寸的评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121149029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511164950.2，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体器件特征尺寸的评估方法是由杨笠铖设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件特征尺寸的评估方法在说明书摘要公布了：本发明涉及自对准图形化工艺技术领域，具体而言，涉及半导体器件特征尺寸的评估方法。该方法包括：将晶圆置于分区卡盘，通过自对准图形化工艺对晶圆进行处理得到多个空槽；在氧化物刻蚀步中，分区卡盘的任意两个分区的温度差大于零，最高温度高于或等于基准温度，最低温度低于或等于基准温度；获取晶圆对应各分区的特征尺寸平衡度；根据分区卡盘的各分区的温度及对应的特征尺寸平衡度，确定在基准温度下，核心区的特征尺寸与间隙的特征尺寸的大小关系。本发明提供的半导体器件特征尺寸的评估方法，能够快速确定晶圆的核心区与间隙的特征尺寸关系，提升了工艺调试的效率，降低了工艺调试成本，且结论准确度高。

本发明授权半导体器件特征尺寸的评估方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件特征尺寸的评估方法，其特征在于，所述方法包括： 处理步，将晶圆置于分区卡盘，通过自对准图形化工艺对所述晶圆进行处理得到多个空槽；在所述自对准图形化工艺的氧化物刻蚀步中，所述分区卡盘的任意两个分区的温度差大于零，所述分区卡盘的最高温度高于或等于基准温度，所述分区卡盘的最低温度低于或等于所述基准温度；其中，所述空槽包括核心区和间隙，在完成所述自对准图形化工艺后，所述间隙的特征尺寸与所述分区卡盘上对应分区的温度正相关，各个所述核心区的特征尺寸，均与在所述氧化物刻蚀步中将所述分区卡盘采用所述基准温度时形成的所述核心区的特征尺寸基本一致； 获取步，获取所述晶圆对应各所述分区的特征尺寸平衡度；其中，所述特征尺寸平衡度为相邻两个所述空槽的特征尺寸差值的绝对值； 确定步，根据所述分区卡盘的各分区的温度及对应的所述特征尺寸平衡度，确定在所述基准温度下，所述核心区的特征尺寸与所述间隙的特征尺寸的大小关系； 将所述特征尺寸平衡度按照对应的所述分区的温度由低到高依次排序，若所述特征尺寸平衡度逐渐下降，则确定为在所述基准温度下，所述核心区的特征尺寸大于所述间隙的特征尺寸；若所述特征尺寸平衡度逐渐升高，则确定为在所述基准温度下，所述核心区的特征尺寸小于所述间隙的特征尺寸。

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