中国科学院半导体研究所伊晓燕获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利多感官跨模态单片集成式神经拟态器件及制备和使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121257626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511387704.3，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权多感官跨模态单片集成式神经拟态器件及制备和使用方法是由伊晓燕;詹腾;林晋;王军喜;李晋闽设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本多感官跨模态单片集成式神经拟态器件及制备和使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多感官跨模态单片集成式神经拟态器件，可应用于新型半导体器件技术领域。该器件包括：衬底，衬底的第一表面被设备为包括一凹槽；第一半导体材料层，位于衬底的第一表面上，且第一半导体材料层与衬底在凹槽形成悬空结构；第二半导体材料层，位于第一半导体材料层远离衬底的一侧；金属电极层，位于第二半导体材料层远离衬底的一侧，与第二半导体材料层电连接，用于引出电信号；温度感知层，位于第二半导体材料层远离衬底的一侧；气体感知层，位于第二半导体材料层远离衬底的一侧；光感知层，位于第二半导体材料层远离衬底的一侧；其中，温度感知层、气体感知层以及光感知层平行排列。
本发明授权多感官跨模态单片集成式神经拟态器件及制备和使用方法在权利要求书中公布了：1.一种多感官跨模态单片集成式神经拟态器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底的第一表面被设置为包括一凹槽； 第一半导体材料层，位于所述衬底的第一表面上，且所述第一半导体材料层与所述衬底在所述凹槽形成悬空结构； 第二半导体材料层，位于所述第一半导体材料层远离所述衬底的一侧；所述第一半导体材料层与第二半导体材料层构成异质结结构，其中，所述第一半导体材料层的禁带宽度大于所述第二半导体材料层的禁带宽度； 金属电极层，位于所述第二半导体材料层远离所述衬底的一侧，与所述第二半导体材料层电连接，用于引出电信号； 温度感知层，位于所述第二半导体材料层远离所述衬底的一侧； 气体感知层，位于所述第二半导体材料层远离所述衬底的一侧； 光感知层，位于所述第二半导体材料层远离所述衬底的一侧； 其中，所述温度感知层、所述气体感知层以及所述光感知层平行排列。
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