苏州明义微电子技术有限公司蔡中华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州明义微电子技术有限公司申请的专利GaN芯片的多栅极分布式驱动结构及开关电路单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121461958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511984222.6，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权GaN芯片的多栅极分布式驱动结构及开关电路单元是由蔡中华;莫海锋设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN芯片的多栅极分布式驱动结构及开关电路单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN芯片的多栅极分布式驱动结构及开关电路单元。该GaN芯片的多栅极分布式驱动结构包括GaNHEMT模块及与所述GaNHEMT模块连接的驱动模块，GaNHEMT模块具有多个栅极，并且多个栅极沿平行于GaNHEMT模块表面的方向间隔分布，其中每一栅极分别与驱动模块电连接。通过多个栅极可以使GaNHEMT模块的近端、远端同时接收到驱动信号，有效降低传输时延，从而显著提高了芯片开关速度，降低了开关损耗。
本发明授权GaN芯片的多栅极分布式驱动结构及开关电路单元在权利要求书中公布了：1.一种GaN芯片的多栅极分布式驱动结构，包括GaNHEMT模块及与所述GaNHEMT模块连接的驱动模块，其特征在于：所述GaNHEMT模块具有多个栅极，并且多个所述栅极沿平行于所述GaNHEMT模块表面的方向间隔分布，其中每一所述栅极分别与驱动模块电连接； 所述多栅极分布式驱动结构包括栅阵列，所述栅阵列包括相互间隔设置的多根栅条以及栅总线；多根所述栅条通过栅总线相互并联连接，并形成整面覆盖所述GaNHEMT模块表面的紧密网状结构；多个所述栅极经所述栅总线并联设置； 多个所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极从所述栅阵列的中间位置引出，并保持左右对称的布局； 所述栅总线采用顶层金属，设置在多根栅条上方；第一栅极和第二栅极与多根栅条之间通过两层金属互连的方式连接，每一层金属之间都设置有通孔； 所述GaNHEMT模块与所述驱动模块层叠设置。
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