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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利晶圆键合方法及化合物半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512053451.2，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权晶圆键合方法及化合物半导体器件是由何渊;朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆键合方法及化合物半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆键合方法及化合物半导体器件，该晶圆键合方法包括：在硅基晶圆上形成第一电极和第一围墙，第一围墙用于隔离第一电极；在化合物半导体晶圆上形成第二电极和第二围墙，第二围墙用于隔离第二电极；在第一电极上和或第二电极上植入金属球；将化合物半导体晶圆倒扣放置在硅基晶圆上，以使化合物半导体晶圆与硅基晶圆通过植入的金属球进行键合，并在键合过程中通过第一围墙和第二围墙限制植入的金属球的扩散区域，得到初始键合晶圆；对初始键合晶圆进行底部填充和减薄处理，得到目标键合晶圆。本申请的封装集成度高、封装工艺难度和成本较低、可靠性强和可量产化性较强。

本发明授权晶圆键合方法及化合物半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述方法包括： 提供硅基晶圆和化合物半导体晶圆； 在所述硅基晶圆上形成第一电极和第一围墙，所述第一围墙用于隔离所述第一电极；在所述化合物半导体晶圆上形成第二电极和第二围墙，所述第二围墙用于隔离所述第二电极；相邻的两个围墙之间的距离大于10um，相邻的两个围墙包括相邻的两个第一围墙、相邻的两个第二围墙；所述第一围墙和所述第二围墙均为圆柱形围墙，所述第一围墙和所述第二围墙的内径均为60um-100um，外径均为100um-150um，高度均为3um-15um； 在所述第一电极上和或所述第二电极上植入金属球；所述金属球的直径为50um-80um，所述金属球的高度为5um-20um，所述金属球的外表面与对应的围墙的侧壁之间的距离大于3um，所述对应的围墙为隔离所述金属球所植入的电极的围墙； 将所述化合物半导体晶圆倒扣放置在所述硅基晶圆上，以使所述化合物半导体晶圆与所述硅基晶圆通过植入的金属球进行键合，并在键合过程中通过所述第一围墙和所述第二围墙限制植入的金属球的扩散区域，得到初始键合晶圆；在所述化合物半导体晶圆与所述硅基晶圆通过植入的金属球进行键合的过程中，所述金属球被压扁填充满所述化合物半导体晶圆和所述硅基晶圆之间的凹槽中，同时多余金属溢出；其中，溢出的金属的范围小于目标值，所述目标值为所述对应的围墙的外径和目标距离之和，所述目标距离为相邻的两个围墙之间的距离的一半； 使用底部填充工艺在所述初始键合晶圆和所述化合物半导体晶圆之间填充底部填充胶，得到填充后的键合晶圆；使用物理研磨或气相刻蚀或化学溶液刻蚀方法，对所述填充后的键合晶圆中的化合物半导体晶圆基底进行减薄处理，得到目标键合晶圆；其中，所述底部填充胶用于隔离所述减薄处理中产生的颗粒，以及用于提高所述硅基晶圆和所述化合物半导体晶圆之间的结合力；所述目标键合晶圆的厚度为20um-100um。

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