苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司赵武获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121484637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610031609.8，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权半导体结构的制备方法是由赵武;罗晨;王俊;李刘晶;李顺峰设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：在待刻蚀层的一侧形成第一牺牲层；在第一牺牲层背离待刻蚀层的一侧形成掩膜层；在掩膜层中形成第一开口和第二开口，第一开口贯穿掩膜层，第二开口朝向待刻蚀层一侧的掩膜层的厚度大于零；刻蚀第一开口底部的第一牺牲层，在第一开口的底部形成贯穿第一牺牲层的第三开口；在形成第三开口的过程中刻蚀第二开口底部的掩膜层，第二开口贯穿掩膜层，第二开口的底壁具有残余掩膜材料；刻蚀去除残余掩膜材料；刻蚀第二开口底部的第一牺牲层和待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第一图形口；在形成第一图形口的过程中刻蚀第三开口底部的待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第二图形口。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 在待刻蚀层的一侧形成第一牺牲层； 在所述第一牺牲层背离所述待刻蚀层的一侧形成掩膜层； 在所述掩膜层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿所述掩膜层，所述第二开口朝向所述待刻蚀层一侧的所述掩膜层的厚度大于零； 刻蚀所述第一开口底部的所述第一牺牲层，在所述第一开口的底部形成贯穿所述第一牺牲层的第三开口； 在形成所述第三开口的过程中，刻蚀所述第二开口底部的所述掩膜层，使所述第二开口贯穿所述掩膜层，且所述第二开口的底壁具有残余掩膜材料； 刻蚀去除所述残余掩膜材料； 刻蚀去除所述残余掩膜材料之后，刻蚀所述第二开口底部的所述第一牺牲层和所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层中形成第一图形口； 在形成所述第一图形口的过程中，刻蚀所述第三开口底部的所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层中形成第二图形口，其中，所述第二图形口的深度大于所述第一图形口的深度。
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