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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利晶圆处理方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511963437.X，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权晶圆处理方法及半导体器件是由蒋汉聂设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆处理方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆处理方法及半导体器件，包括：提供待处理的晶圆键合结构；执行第一晶边修整，以至少去除第二晶圆的晶边部，第一晶边修整的宽度小于预设修整宽度；执行研磨减薄工艺，以对第二底部支撑层进行减薄；执行刻蚀工艺，以去除第二底部支撑层的剩余部分；执行第二晶边修整，第二晶边修整与第一晶边修整的总宽度达到预设修整宽度，第二晶边修整的深度从第二中间介质层延伸至穿过第一顶部器件层；去除第二中间介质层；如此，通过分阶段执行晶边修整，并控制每次晶边修整的宽度和深度，从而在总的修整宽度不变的情况下，去除了可能出现多台阶和内凹问题的部分，提高了产品良率，同时对整体工艺过程影响较小。

本发明授权晶圆处理方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆处理方法，其特征在于，所述方法包括： 提供待处理的晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括位于第一底表面与第一顶表面之间的第一底部支撑层、第一中间介质层和第一顶部器件层，所述第二晶圆包括位于第二底表面与第二顶表面之间的第二底部支撑层、第二中间介质层和第二顶部器件层，所述第一晶圆与所述第二晶圆以所述第一顶表面朝向所述第二顶表面的方式彼此键合； 以所述第二底表面侧作为工艺执行侧，执行第一晶边修整，以至少去除所述第二晶圆的晶边部，所述晶边部为所述第二晶圆中沿垂直于所述第二顶表面的方向上投影位于所述第二顶部器件层的投影之外的部分，所述第一晶边修整的宽度小于预设修整宽度； 执行研磨减薄工艺，以对所述第二底部支撑层进行减薄； 执行刻蚀工艺，以去除所述第二底部支撑层的剩余部分； 执行第二晶边修整，所述第二晶边修整与所述第一晶边修整的总宽度达到所述预设修整宽度，所述第二晶边修整的深度从所述第二中间介质层延伸至穿过所述第一顶部器件层； 去除所述第二中间介质层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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