上海微釜半导体设备有限公司董坤获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微釜半导体设备有限公司申请的专利半导体设备及工艺腔体维护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121545982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610064179.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体设备及工艺腔体维护方法是由董坤;姜蔚设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备及工艺腔体维护方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体设备及工艺腔体维护方法，维护方法包括：提供工艺腔体，所述工艺腔体的内壁上沉积有目标膜层，所述目标膜层为半绝缘掺氧多晶硅膜层；向所述工艺腔体内通入第一气体，对所述目标膜层进行第一处理，使所述目标膜层被氧化形成氧化后的目标膜层，并受应力作用发生开裂而剥落，所述第一气体为氧化性气体；向所述工艺腔体内通入第二气体，对所述工艺腔体进行吹扫。本申请能够实现对工艺腔体进行在线维护，使颗粒表现维持在良好的水平，具有维护更加简单、可靠、高效、快捷，能够大大降低人力成本和物料成本等优点。
本发明授权半导体设备及工艺腔体维护方法在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔体维护方法，其特征在于，包括： 提供工艺腔体，所述工艺腔体的内壁上沉积有目标膜层，所述目标膜层为半绝缘掺氧多晶硅膜层； 向所述工艺腔体内通入第一气体，对所述目标膜层进行第一处理，使所述目标膜层被氧化形成氧化后的目标膜层，并受应力作用发生开裂而剥落，所述第一气体为氧化性气体； 向所述工艺腔体内通入第二气体，对所述工艺腔体进行吹扫； 通过在第一温度下通入第一流量的所述第一气体，对所述目标膜层进行第一时间的所述第一处理，利用形成的所述氧化后的目标膜层的热膨胀系数和所述工艺腔体的内壁的热膨胀系数的不同，使所述氧化后的目标膜层因应力差异产生裂缝，形成松散的膜结构，并因累积的应力在第一处理过程中得到释放，使具有松散的膜结构的所述氧化后的目标膜层剥落； 所述第一温度为500℃～650℃，所述第一流量为1000sccm～5000sccm，第一时间T与目标膜层的厚度H之间具有以下关系：H:T=5:1～7:1，其中，H的单位为微米，T的单位为小时。
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