上海创熠微材料科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海创熠微材料科技有限公司申请的专利腔室周向进气的匀气结构及其半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121575374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933426.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权腔室周向进气的匀气结构及其半导体处理设备是由请求不公布姓名;代齐民;陶滕云设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本腔室周向进气的匀气结构及其半导体处理设备在说明书摘要公布了：一种腔室周向进气的匀气结构及半导体处理设备，其中，匀气结构设置在一半导体处理设备内，用于向所述半导体处理设备的反应腔输送反应气体，匀气结构包含一个外环导流层和一个内环匀气层，外环导流层与至少一个进气口气体连通，内环匀气层设置无缝环形出气口与所述反应腔气体连通。本发明通过在反应腔内部设置匀气结构，能够在反应腔周向实现均匀的气体分布。
本发明授权腔室周向进气的匀气结构及其半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种腔室周向进气的匀气结构，其设置在一半导体处理设备内，用于向所述半导体处理设备的反应腔输送反应气体，其特征在于，所述匀气结构包括： 外环导流层，所述外环导流层与至少三个进气端气体连通； 内环匀气层，所述内环匀气层设置无缝环形出气口与所述反应腔气体连通； 所述外环导流层和所述内环匀气层之间设置有多个进气块，多个阻尼单元设置于所述多个进气块的侧壁，靠近外环导流层的一端为进气口，靠近内环匀气层的一端为出气口； 相邻的进气块之间形成有多个气体流道，所述气体流道的截面积沿周向递增。
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