买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州湘亭科技有限公司申请的专利基于硅胶低温吸附的Kr收集方法、系统、终端及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121613030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610130333.9，技术领域涉及：G01N30/86；该发明授权基于硅胶低温吸附的Kr收集方法、系统、终端及存储介质是由盛烨玮;符辰江;李海;吴丹;刘浪;于万里设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅胶低温吸附的Kr收集方法、系统、终端及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及基于硅胶低温吸附的Kr收集方法、系统、终端及存储介质，涉及Kr气体收集的技术领域，包括获取色谱分离图；对色谱分离图进行分析，以确定氪峰时间窗、冗余峰前窗和冗余峰后窗；根据预设的前序集气时间在冗余峰前窗前设置前序集气窗；对前序集气窗、氪峰时间窗、冗余峰前窗和冗余峰后窗进行分析，以确定冗余吸附窗和气囊收集气体；对气囊收集气体和冗余吸附窗进行分析，以控制预设的低浓度吸附硅胶和高浓度吸附硅胶对Kr气体进行低温吸附。本申请具有提高Kr气体的收集产物纯度的效果。

本发明授权基于硅胶低温吸附的Kr收集方法、系统、终端及存储介质在权利要求书中公布了：1.基于硅胶低温吸附的Kr收集方法，其特征在于，包括： 获取色谱分离图； 对色谱分离图进行分析，以确定氪峰时间窗、冗余峰前窗和冗余峰后窗； 根据预设的前序集气时间在冗余峰前窗前设置前序集气窗； 根据前序时间窗控制预设集气气囊对预设前序气体进行收集，以确定气囊收集气体； 对气囊收集气体进行分析，以确定前序Kr浓度； 判断前序Kr浓度是否大于预设的前序Kr阈值； 若不大于，则将氪峰时间窗、冗余峰前窗和冗余峰后窗整合，以确定冗余吸附窗； 若大于，则控制预设的低浓度吸附硅胶对气囊收集气体中的Kr气体进行低温吸附； 低浓度吸附硅胶是指具有强杂质吸附性与氪捕获性的吸附硅胶，该吸附硅胶用于在Kr浓度较低时对Kr气体进行可逆弱吸附； 计算前序Kr浓度与前序集气时间的乘积，以确定前序总Kr贡献； 对冗余峰前窗进行时长分析，以确定峰前总时长； 将前序Kr总贡献、前序Kr浓度和峰前总时长输入预设的气囊峰前时长模型中，以确定峰前漂移时长，所述气囊峰前时长模型为： ； 根据峰前漂移时间将冗余峰前窗后向截短，并根据峰前漂移时间将氪峰时间窗与冗余峰后窗前向移动，以确定漂移峰前窗、漂移氪峰窗和漂移峰后窗； 将漂移峰前窗、漂移氪峰窗和漂移峰后窗整合，以确定冗余吸附窗； 冗余吸附窗是指设置有一定装置响应时间冗余的Kr气体硅胶低温吸附时间窗； 对冗余时间窗进行数据提取，以确定峰前时间窗、峰后时间窗和理论氪峰窗； 获取色谱载气流速； 对色谱载气流速进行分析，在峰前时间窗内控制低浓度吸附硅胶对Kr气体进行低温吸附； 计算色谱载气流速与预设的峰内流速系数的乘积，以确定氪峰载气流速； 峰内流速系数是指在理论氪峰窗内对气体进行吸附时，气体流速的调整系数，通过在确定不同色谱载气流速下吸附效果最佳的气体流速后，对气体流速与色谱载气流速进行线性拟合确定； 在理论氪峰窗内控制Kr气体以氪峰载气流速流动，以高浓度吸附硅胶对Kr气体进行低温吸附； 高浓度吸附硅胶是指能够吸附大量Kr气体的高容量吸附硅胶，用于在Kr浓度较高时，大量吸附Kr气体； 对色谱载气流速进行分析，在峰后时间窗内控制低浓度吸附硅胶对Kr气体进行低温吸附。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州湘亭科技有限公司，其通讯地址为：311100 浙江省杭州市余杭区黄湖镇兴湖路4号2幢201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。