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龙图腾网获悉中国科学院国家空间科学中心申请的专利一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121665614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610179227.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用是由梁亚楠;陈睿;韩建伟;王籽彧设计研发完成，并于2026-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用。包含垂直型结构的晶体管中栅极为垂直型结构；所述栅极的一部分，覆盖在经过高空穴浓度结构层加工形成的第一图形的上方；另一部分，垂直于器件表面向下延伸至势垒层。本发明，直接通过设计特殊的栅极电极结构，无需增加更多的处理工艺，相比于现有技术的处理工艺，颠覆性的提出了一套全新的处理逻辑，改变栅极电极的结构仅需在设计晶体管结构时预留出加工空间，而无需增加更多的器件内部结构、也无需引入额外的电极或电极辅助结构，并且通过仿真分析能够获得意料不到的技术效果，有效解决了晶体管抗单粒子效应领域加工精细度大、成本高、良品率低的技术问题，有利于大规模推广应用。

本发明授权一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种包含垂直型结构的晶体管，其特征在于，所述包含垂直型结构的晶体管，其中，栅极613为垂直型结构； 所述栅极613的一部分，覆盖在经过高空穴浓度结构层加工形成的第一图形503的上方；其中，所述高空穴浓度结构层为覆盖在势垒层400上的第一高空穴浓度结构层501、以及位于所述第一高空穴浓度结构层501上面的第二高空穴浓度结构层502； 所述栅极613的另一部分，垂直于器件表面向下延伸至势垒层400，并且所述栅极613垂直面的一侧覆盖于所述第一高空穴浓度结构层501、所述第二高空穴浓度结构层502与所述栅极的垂直面接触的侧面，并且，所述第一高空穴浓度结构层501、所述第二高空穴浓度结构层502与所述栅极613形成肖特基接触；其中，所述第一高空穴浓度结构层501的掺杂浓度小于所述第二高空穴浓度结构层502的掺杂浓度； 所述晶体管还包括被所述势垒层400覆盖的沟道层300、被所述沟道层300覆盖的缓冲层200、被所述缓冲层200覆盖的衬底层100；还包括覆盖在所述势垒层400上的钝化保护层600，其中，所述钝化保护层600覆盖在所述势垒层400上表面未被所述第一图形503、源极电极611、漏极电极612、栅极613覆盖的区域，以及覆盖在所述势垒层400的端面、所述沟道层300的部分端面中未被其他层覆盖、同时也不应裸露的区域； 源极电极611和漏极电极612分别位于所述势垒层400上表面未被所述高空穴浓度结构层覆盖的两侧；所述源极电极611和所述漏极电极612依次贯穿所述钝化保护层600、所述势垒层400直到与所述沟道层300接触，并且所述源极电极611和所述漏极电极612与相接触的所述势垒层400、所述沟道层300形成欧姆接触； 其中，所述栅极613的垂直面朝向靠近所述漏极电极612。

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