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龙图腾网获悉江西师范大学申请的专利一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121703209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610195184.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器及其制备方法和应用是由段奇系;杨勇;梁艳;孙海设计研发完成，并于2026-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于新材料与电子信息技术领域，具体涉及一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器及其制备方法和应用。所述气体传感器包括衬底以及原位生长于所述衬底表面的过渡金属掺杂ZnIn2S4纳米阵列，所述纳米阵列由多个二维纳米片层构成，所述二维纳米片层以交错堆叠方式排列，并以相对于衬底表面法线方向±5°的夹角延伸，通过物理或化学连接形成具有三维花状拓扑结构的网络组合体。本发明的制备方法简单，有效调控了材料的能带结构并减小了禁带宽度，另一方面显著增加了材料的比表面积并优化了孔径分布。且制备得到的气体传感器对三乙胺表现出优异的气体选择性并且响应值高，回复速度快，有望应用于环境监测和食品安全领域。

本发明授权一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属掺杂ZnIn2S4气体传感器，包括Al2O3衬底以及通过一步水浴法原位生长于所述衬底表面的Cu掺杂ZnIn2S4纳米阵列，其特征在于： 所述Cu掺杂ZnIn纳米阵列与Al衬底形成原子级紧密接触的界面，消除了涂覆膜层存在的微裂纹与界面接触电阻； 所述纳米阵列由多个二维纳米片层构成，所述二维纳米片层以交错堆叠方式排列，并以相对于衬底表面法线方向±5°的夹角延伸，相邻片层之间的交错角度为60°或80°，通过物理或化学连接形成具有三维花状拓扑结构的网络组合体；所述二维纳米片层的厚度为5nm至20nm，横向尺寸为0.5μm至2μm； 所述Cu的掺杂量为3wt%，且以原子掺杂形式嵌入所述ZnIn的晶格结构中； 所述Cu掺杂ZnIn纳米阵列的比表面积为168.98m²g，孔容为0.49cm³g； 所述气体传感器在250℃工作温度下，对浓度为100ppm的三乙胺气体的响应值≥85，响应时间≤35秒，检测限≤1ppm。

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