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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224234093U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520395461.7，技术领域涉及：H10H20/841；该实用新型一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置是由杨德佑;叶玲娜;费云瑞;邬新根;陈帅城;何剑;张佳宏设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在所述透明导电层的表面设置第一绝缘层，且所述第一绝缘层具有通孔设置区域，所述通孔设置区域具有多个通孔，通过通孔形成图形，从而改变了LED的表面结构，有助于减少全反射，让更多的光通过通孔逃逸出来。此外，本技术方案，使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率。

本实用新型一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED发光单元，其特征在于，所述LED发光单元包括： 设置于所述衬底表面的外延叠层；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；且所述外延叠层的局部区域蚀刻至所述第一型半导体层形成凹槽及发光台面；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； 透明导电层，其层叠于所述发光台面且具有裸露部分所述第二型半导体层的第二孔洞； 第一绝缘层，其形成于所述透明导电层背离所述外延叠层的一侧表面；且所述第一绝缘层具有通孔设置区域，所述通孔设置区域具有多个通孔； 第一电极，其层叠于所述凹槽的部分表面并远离所述发光台面而设置； 第二电极，其通过设置于所述第二孔洞的方式延伸至所述第一绝缘层的部分表面； 第二绝缘层，其设置于所述外延叠层的表面，并至少裸露所述第一电极和第二电极的部分表面。

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