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最新专利技术
  • 背接触太阳能电池和光伏组件
    背接触太阳能电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610205287.4
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池和光伏组件。其中，背接触太阳能电池包括：基底，基底的背面一侧包括交替排布的第一区和第二区；第一掺杂层，位于第一区内；第一栅线，位于第一掺杂层背离基底的一侧，且与第一掺杂层电连接；第二掺杂层，...
    2026-04-21
  • 背接触电池片、印刷钢版和光伏组件
    背接触电池片、印刷钢版和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511725111.3
    本申请提供了一种背接触电池片、印刷钢版和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触电池片包括：电池本体，沿其厚度方向，电池本体包括相对的第一面和第二面；若干集电电极，设置在电池本体的第一面，且沿第一方向延伸；若干集电电极包括：第一集电电极和第二集电...
    2026-04-21
  • 电池片、光伏组件及网版
    电池片、光伏组件及网版_隆基绿能科技股份有限公司_202511746603.0
    本发明公开了一种电池片、光伏组件及网版，电池片包括电池片本体和绝缘结构，电池片本体的第一表面具有细栅电极，绝缘结构设于细栅电极上；电池片本体包括多个连接部列，电池片本体具有连接部列所在的第一区域和位于相邻两个第一区域之间的第二区域，绝缘结构...
    2026-04-21
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511821453.5
    本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过尺寸较大的第一隔离凸起防止纵向堆叠的相邻太阳能电池出现膜层划伤的问题。所述太阳能电池包括：电池本体、多个第一隔离凸起和多个第二隔离凸起。电池本体的第一面包括多个集电电极和多个汇流...
    2026-04-21
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511870165.9
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，光伏组件包括：电池片，电池片包括沿第一方向排布的焊接区以及收集区；电池片的表面具有多个沿第二方向排布的栅线，每一栅线包括位于焊接区的至少两个焊接栅线以及位于收集区的收集栅线，其中，焊接栅线沿第二方向排布...
    2026-04-21
  • 一种双面背接触电池及其制备方法和应用
    一种双面背接触电池及其制备方法和应用_青海高景太阳能科技有限公司_202512031571.2
    本发明涉及背接触电池领域，具体而言，涉及一种双面背接触电池及其制备方法和应用。该双面背接触电池包括：n型单晶硅基体；设置于n型单晶硅基体正面的光学功能层，所述光学功能层包括：减反射层与钝化层；以及设置于所述n型单晶硅基体背面的复合功能层，所...
    2026-04-21
  • 一种高反射率单向透光膜及其制备方法和应用
    一种高反射率单向透光膜及其制备方法和应用_宸光(常州)新材料科技有限公司_202610004737.3
    本发明涉及光伏组件技术领域，具体为一种高反射率单向透光膜及其制备方法和应用，包括依次设置的粘胶层、金属镀层、基材层和纳米颗粒散射层；按重量份计，所述纳米颗粒散射层的制备原料包括：羟基丙烯酸树脂50‑70份，纳米散射颗粒8‑15份，分散剂0....
    2026-04-21
  • 背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610290465.8
    本申请涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，至少可以提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂部、第二掺杂部、钝化层、第一电极和第二电极。基底具有第一区和第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区；第一掺杂...
    2026-04-21
  • 一种具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器及其制备方法
    一种具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器及其制备方法_浙江大学_202511710521.0
    本发明公开了一种具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，该具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器，从而下到上依次包括欧姆接触电极、n+型碳化硅衬底、n型碳化硅外延吸收层、陷光结构和网状肖特基接触电极；该陷光结构的表面具有多个凹坑，所述凹...
    2026-04-21
  • 一种紫外探测器及其制作方法
    一种紫外探测器及其制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511815396.X
    本发明涉及一种紫外探测器及其制作方法，所述紫外探测器的碳化硅衬底表面为锥形微纳织构，所述锥形微纳织构具有锥形凹槽，且所述锥形凹槽的顶部直径为100nm~500nm，所述锥形凹槽的深度为100nm~200nm，所述锥形凹槽的锥角为55°~65...
    2026-04-21
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511943820.9
    本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法。背接触太阳能电池包括硅基底，硅基底的正面设有正绒面结构，正绒面结构包括若干个第一凸起，以及镶嵌在若干个第一凸起上的若干个第二凸起；第一凸起的平均底面尺寸大于第二凸起的平均底面尺寸；部分第一凸起呈阶...
    2026-04-21
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610031849.8
    本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，为太阳能电池领域，电池包括：硅基体(1)，背面有第一区(A)、第二区(B)和间隔区(C)，相邻第一区(A)和第二区(B)通过间隔区(C)隔开，第一区(A)的至少部分表面为绒面且包括多...
    2026-04-21
  • 发光二极管芯片的制作方法
    发光二极管芯片的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511643243.1
    本公开提供了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：将晶圆置于第一清洗液中浸泡处理，所述第一清洗液为用于去除有机残留物的溶剂型剥离液；对经过所述第一清洗液处理后的所述晶圆进行水洗；将经过水洗后的所述晶圆置于第三清...
    2026-04-21
  • 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
    一种垂直结构LED芯片及其制备方法_西安交通大学_202512054966.4
    本发明一种垂直结构LED芯片及其制备方法，属于半导体照明技术领域。该制备方法包括：在外延衬底上生长N型半导体层；在N型半导体层的顶层区域通过刻蚀工艺制备第一纳米多孔光子晶体结构；在该结构上继续外延生长多量子阱层和P型半导体层；在P型半导体层...
    2026-04-21
  • 一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法
    一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法_郑州大学_202610022072.9
    本发明涉及隧道结技术领域，具体为一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法，包括以下步骤：选取空穴传输层与p‑GaN界面为隧道结界面，记录材料组分布受主分布及厚度参数，获取隧道结厚度范围，计算空穴隧穿注入能力评估电子泄漏，依...
    2026-04-21
  • 发光器件及其制备方法
    发光器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610035313.3
    本发明公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括N型硅衬底、位于N型硅衬底上的黑磷层、及电极，所述电极包括与所述N型硅衬底电性连接的第一电极及与所述黑磷层电性连接的第二电极，所述黑磷层与所述N型硅衬底形成异质结。本发明以N型硅衬底作为...
    2026-04-21
  • 发光器件及其制备方法、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411388465.9
    提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，发光器件包括多个第一发光单元，第一发光单元包括第一量子阱层和第二量子阱层，第二量子阱层位于第一量子阱层靠近发光器件的出光侧的一侧；其中，第一量子阱层用于发出第一颜色的光，第二量子阱层用于基于第一颜色的...
    2026-04-21
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_聚灿光电科技股份有限公司_202610279521.8
    本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底上的键合介质层；设置在所述键合介质层上的半导体外延叠层，所述半导体外延叠层由下至上依次包括P型GaP层、多量子阱发光层、AlInGaP层和N型GaAs层...
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032124.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032142.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
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