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  • 本申请涉及电镀设备技术领域,公开了一种无人机配件电镀设备,用以解决镀件受浮力作用从挂钩上脱落、电镀过程中镀件周围电镀液浓度不均的问题。通过无人机配件的重力带动挂钩和挤压块挤压复位弹簧,沿安装槽移动,使挂钩和封闭杆形成一个环状区域,防止无人机...
  • 一种自均衡水平电镀阳极网喷盒装置,包括阴极夹爪、网箱、阳极网、电镀液,通过将阳极网沿基板宽度方向分割成多块阳极网块,在每块阳极网块上均连接电缆,使电缆向其连接的阳极网块输送的电流大小可调,使网箱有多个并沿基板的行进方向间隔设置,在相邻网箱之...
  • 本发明涉及一种抗有机添加剂氧化的PCB电镀用不溶性阳极及其制备方法,属于PCB电镀用不溶性阳极技术领域。包括钛基体和钛基体表面的不溶性阳极涂层,所述不溶性阳极涂层由依次覆盖在钛基体表面的中间层和表层组成,所述中间层为掺杂铱的介孔二氧化锡‑二...
  • 本发明提供了一种提高电镀均匀性的电镀搅拌装置及电镀设备,包括搅拌板和中空轴管,所述搅拌板与中空轴管为一体式或者分离式设计,当搅拌板与中空轴管为分离式设计时,中空轴管顶部设有喷洒装置,搅拌板上设有网格开孔,加压电镀液经过喷洒装置和搅拌板的网格...
  • 本申请提供一种金刚石线锯电镀槽在线温控协同调控方法及系统,涉及电镀槽温度的过程控制技术领域,包括:通过传感器采集各电镀槽温度与镀液流动速率,结合槽间距离计算热量传导强度;再依据热量传导强度确定风险槽位并标记优先级,拓展得到受干扰槽位;通过即...
  • 本申请提供了一种半导体电镀工序控制方法及系统,属于半导体领域,解决传统基于电流、温度和流量等单参数的经验控制已无法满足产品需求的问题,上述方法包括:获取目标晶圆在电镀工位的装夹信息,控制目标晶圆进入电镀槽以建立电镀回路,在电镀开始阶段,控制...
  • 一种聚晶金刚石复合片高效电解脱钴方法,具体是通过调控电解液体系和电解工艺实现聚晶金刚石复合片高效、稳定的电解脱钴。所述电解液主体成分由硫酸钠、硼酸和去离子水组成,所述电解液添加剂为络合剂,包括柠檬酸、甘氨酸、酒石酸、乙二胺四乙酸。络合剂的存...
  • 本发明提供了用于电化学刻蚀制备光伏网版的钨丝电解液,其通过对电解液的电流控制进而控制蚀刻速度,从而确保获得钨丝表面光滑、线径细、且寿命长的钨丝网版。其特征在于:其为酸性溶液,酸性溶液通过浓硫酸和甲醇混合获得,其中浓硫酸和甲醇的体积比为1 :...
  • 本发明提供了一种还原法清除铌酸亚锡表面四价锡的方法及应用,涉及光催化及光电催化技术领域;所述方法包括将铌酸亚锡电极材料浸润在电解质溶液中,使铌酸亚锡的表面与所述电解质溶液接触充分;通过对所述铌酸亚锡电极材料施加偏压,使铌酸亚锡的表面的四价锡...
  • 本发明公开了一种钨丝线结合力提升方法,旨在解决现有钨丝细线化过程中结合力不足、线耗高、生产稳定性差的技术问题。该方法采用特定配比的电解液:季铵碱、无水乙醇、2‑甲基‑1‑己烯、硫酸钠及余量去离子水,通过S1电解液配制、S2设备设置与检查、S...
  • 本发明公开了一种单晶锰铝酸锂的生产方法,属于锂离子电池正极材料的制备技术领域,包括以下步骤:取四氧化三锰、碳酸锂和含铝原料,其中,碳酸锂与四氧化三锰的摩尔比Li : Mn:0.50~0.55,碳酸锂与铝原料的摩尔比Li : Al:1.00~...
  • 本发明公开了一种基于局域热解反应原位制备氧化锌晶体的方法。该方法以乙酰丙酮锌为核心前驱体,通过飞秒激光聚焦于前驱体与基材界面,利用激光瞬时高功率热效应形成局域化热解区域,驱动前驱体一步原位成核生长为氧化锌晶体。本发明通过调控激光功率、加工速...
  • 本发明提出一种超疏水碱式硫酸镁晶须及其水热制备方法,涉及粉体复合材料技术领域。本发明并使用二甲基十八烷基[3‑三甲氧基硅丙基]氯化铵作为表面改性剂接枝于晶须表面,并通过在水热制备晶须过程中加入改性剂一步制备得到超疏水碱式硫酸镁晶须,将晶须的...
  • 本发明公开了一种单晶金属箔材的制备方法及其应用,包括如下步骤:提供生长有石墨烯层的单晶铜作为衬底;通过电沉积在衬底的石墨烯层一侧电镀金属层后,分离衬底得到单晶金属箔。本发明以生长有石墨烯层的单晶铜作为衬底电镀金属箔,基于远程外延机制,依靠下...
  • 本发明属于钙钛矿材料制备技术领域,公开了一种复合溶剂调控的CsPbBr3光电的制备方法。该方法以DMSO‑H2O为复合溶剂,按以下步骤进行:配制体积比3 : 1~9 : 1的DMSO‑H2O复合溶剂;将CsBr与PbBr2按摩尔比1 : 1...
  • 一种水杨酰胺超快闪烁晶体的低温籽晶诱导生长方法,它涉及超快闪烁晶体及其低温籽晶诱导生长方法。它是要解决现有的有机晶体闪烁体在生长过程中存在的生长速率不可控、环境波动敏感、晶体内部易产生微观缺陷以及尺寸规整度差的技术问题。本方法:一、恒温挥发...
  • 本发明提供了一种尺寸可控的高结晶性铌酸亚锡单晶的制备方法和应用;所述制备方法包括采用熔盐法将氯化亚锡、五氧化二铌及卤代金属盐进行混合后得到的混合盐在惰性气体氛围下进行熔盐反应,经退火后即得到纳米至微米级的高结晶性铌酸亚锡单晶。采用本发明技术...
  • 本申请提供了一种基于坩埚下降生长氧化镓单晶的方法和装置,该方法包括:将氧化镓原料装入坩埚中,坩埚为铂铑合金坩埚;将装有氧化镓原料的坩埚置于下降法生长炉中,采用侧面局部加热与底部主动散热相结合的方式形成竖直方向的温度梯度;控制下降法生长炉中气...
  • 本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体为一种VGF法生长低缺陷GaAs单晶的工艺方法,该方案对高纯原料进行深度纯化与预处理,构建具有平缓轴向梯度与受控径向温差的精密热场,采用籽晶进行定向缩颈成核,并在整个过程中实施精确的生长动力学与气体管理...
  • 本发明公开了一种低氧氟化镁晶体的制备方法,属于晶体制备技术领域。本发明在原料熔融后以间歇脉冲模式向晶体炉内通入催化网活化的混合气,混合气中的活性氟物种能够与熔体表面的氧杂质发生氟化反应,以减少氧杂质含量,间歇脉冲通气模式的气流与坩埚旋转配合...
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