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最新专利技术
  • 一种半导体装置及其制备方法
    一种半导体装置及其制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202610291792.5
    一种半导体装置及其制备方法，包括：提供基底，基底包括基板和位于基板上的介质层；介质层中形成有通孔，通孔沿垂直于基板的方向贯穿介质层，通孔包括在垂直于基板的方向上排布且连通的第一孔和第二孔，第二孔位于第一孔远离基板一侧；基底还包括覆盖材料层，...
    2026-04-27
  • 屏蔽栅MOSFET器件及制备方法
    屏蔽栅MOSFET器件及制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610072685.3
    本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，在其上形成阵列排布的沟槽；在半导体衬底的表面以及沟槽的内表面形成第一氧化层；在沟槽内填充多晶硅，多晶硅的表面与半导体衬底的表面的第一氧化层齐平；选择性刻...
    2026-04-27
  • 一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法
    一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法_嘉兴功顶半导体有限公司_202610060319.6
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种改善半导体器件栅极绝缘层和输入电容的制备方法，包括对碳化硅衬底热氧化生成第一氧化硅薄膜，在第一氧化硅薄膜表面沉积不掺杂多晶硅层并进行光刻及刻蚀形成图形化多晶硅层，进行高温氧化工艺，将图形化多晶硅层...
    2026-04-27
  • 一种分立器件及制造方法
    一种分立器件及制造方法_江苏长晶科技股份有限公司_202610051729.4
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体提供了一种分立器件及制造方法，所述方法包括：提供N+衬底并生长N外延层；沉积并图案化掩蔽层以刻蚀形成深槽；生长薄氧化层并沉积厚氧化层；淀积并刻蚀多晶硅形成屏蔽栅；去除部分氧化层后沉积新氧化层并研磨；沉积...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202512059761.5
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和半导体衬底的层间介质层、位于所述层间介质层表面的第一金属层、位于所述第一金属层表面并且具有暴露所述第一金属层的第一开口...
    2026-04-27
  • 一种沟槽型MOSFET结构的制造方法
    一种沟槽型MOSFET结构的制造方法_浙江翠展微电子有限公司_202511929077.1
    一种沟槽型MOSFET结构的制造方法，其通过在N型衬底并形成p型体区，在p型体区上通过单次光刻刻蚀形成第一绝缘层中的第一开口，在第一开口侧壁形成绝缘侧墙后。利用所述第一绝缘层与所述绝缘侧墙构成自对准结构实现所述源极区域的自对准注入，同时复用...
    2026-04-27
  • 一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件
    一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511890132.0
    本发明提供一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件，该制备方法包括：在外延层上生长刻蚀掩膜层；在刻蚀掩膜层上进行光刻工艺处理；以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀图形化的刻蚀掩膜层至外延层的上表面，形成图形化的刻蚀掩膜层，以图形化的刻蚀掩...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411416108.9
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个露出衬底的第一表面的第一开口；通过第一开口进行第一离子注入，以在衬底中形成至少两个间隔设置的第一体区；在第一体区...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411412389.0
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个第一开口；对衬底进行第一离子注入，形成至少两个第一体区；在第一开口的侧壁上形成第二掩膜层，第二掩膜层的宽度为第一宽度；进...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411404874.3
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：下源漏，所述下源漏正面形成有若干鳍片结构，所述鳍片结构两侧形成有隔离相邻下源漏的隔离结构，所述下源漏背面不低于所述隔离结构背面；所述鳍片结构两侧的下源漏和隔离结构正面依次形成有刻蚀停止层...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411404871.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：下源漏，所述下源漏正面形成有若干鳍片结构，所述鳍片结构两侧形成有隔离相邻下源漏的隔离结构，所述下源漏背面不低于所述隔离结构背面；所述鳍片结构两侧的下源漏和隔离结构正面形成有底部间隔层；所...
    2026-04-27
  • 一种门极负触发双向晶闸管
    一种门极负触发双向晶闸管_吉林华微电子股份有限公司_202610077495.0
    本发明属于但不限于半导体功率器件技术领域，公开了一种门极负触发双向晶闸管，包括管芯，所述管芯的门极区域内，右上角用于形成门极P型半导体的区域被N+型半导体填充；所述晶闸管仅在第2象限(MT1为负，MT2为正，门极G相对MT1为负信号)和第3...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其生产方法
    一种半导体器件及其生产方法_苏州寒士半导体有限公司_202512035888.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种半导体器件及其生产方法。其包括：第一掺杂类型衬底、设置于第一掺杂类型衬底之上的多个原胞区域；原胞区域包括：沟道区域，其包括栅极沟槽、第一肼区、第一掺杂类型的少数载流子阻挡层和第二掺杂类型调控层；空穴导流...
    2026-04-27
  • 一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构_浙江翠展微电子有限公司_202511928956.2
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构，其包括IGBT组件，栅极焊盘区，第一可调焊盘区，第二可调焊盘区，以及发射极金属。所述IGBT组件包括N型发射区，沟槽，以及绝缘介质层。多个所述沟槽的两端分别通过所述绝缘介质层上的第二通孔与所述栅极焊盘区...
    2026-04-27
  • 一种高压快恢复二极管结构及其制作方法
    一种高压快恢复二极管结构及其制作方法_北京工业大学_202511880117.8
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，提供一种高压快恢复二极管结构及其制造方法，该结构是一种背面有源区具有精细槽阵列的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压要求的正面边缘终端区；背...
    2026-04-27
  • 一种高压快恢复二极管及其制作方法
    一种高压快恢复二极管及其制作方法_北京工业大学_202511880093.6
    一种高压快恢复二极管及其制造方法涉及功率半导体器件技术领域，该二极管是一种背面有源区具有浮空p+区的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压的正面边缘终端区；背面包括n型缓冲层，...
    2026-04-27
  • 一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法
    一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511922135.8
    本发明提供一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法，属于电子配件技术领域，在P型衬底N面磷扩散形成P+区并高温氧化生成SiO2薄膜。P面磷扩散形成P‑区后单面光刻胶处理清洗。晶圆表面生长氧化层/SIPOS层，N面再磷扩散P+区。P面光...
    2026-04-27
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411428354.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺，以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺，以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
    2026-04-27
  • 一种软恢复FRD及其制造方法
    一种软恢复FRD及其制造方法_苏州寒士半导体有限公司_202610003912.7
    本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种软恢复FRD及其制造方法，其包括第一导电类型的阳极区域，由至少两种不同掺杂浓度的第一导电类型区域组合构成，包括高掺杂浓度区域和低掺杂浓度区域；位于阳极区域下方的第二导电类型的载流子注入抑制层，其掺杂浓度...
    2026-04-27
  • 一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件
    一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511839822.3
    本发明公开了一种漂移区梯度掺杂的SiC‑TVS器件，包括：SiC衬底层；漂移区，设置于SiC衬底层上，漂移区包括从下至上依次层叠设置的掺杂浓度不同的第1层SiC漂移区至第n层SiC漂移区；发射区，设置于第n层SiC漂移区内；包括相互接触的发...
    2026-04-27
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