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  • 本发明公开了一种光伏焊带焊接前的处理方法、焊接方法和太阳电池组件,本发明提供的光伏焊带焊接前的处理方法,包括:采用预热工艺对涂覆水基助焊剂的光伏焊带进行预热处理。涂覆水基助焊剂的光伏焊带在焊接前通过预热处理,能有效降低水基助焊剂在焊带表面的...
  • 本申请公开了一种改善电极焊接拉力的方法,涉及光伏技术领域。改善电极焊接拉力的方法包括:在电池片的侧面沉积边缘钝化层;将电池片的正面和/或背面的设定区域贴附于含有酸性物质的水凝胶,以刻蚀去除绕镀于电极上的钝化层材料,其中,钝化层材料包括沉积边...
  • 本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及太阳电池的分片方法、太阳电池和光伏组件,该分片方法包括在待切割的电池片需要切割的位置处涂覆光固胶,并固化,以形成阻挡层;在阻挡层处对电池片进行切割;对切割后的电池片进行钝化处理,以在切割后的电池片的边缘...
  • 本发明涉及光伏组件制备技术领域,公开了一种多分片、多主栅、负间距零隐裂组件的制备方法,包括以下步骤:S1、电池片预处理:将整片晶体硅电池片划片后得到多分片电池片,对划片后的电池片进行清洗、烘干;S2、UV胶印刷:在所述多分片电池片的重叠区域...
  • 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和在制备光伏组件中的用途,涉及太阳能电池技术领域。所述背接触太阳能电池通过在TCO层上形成一层光敏掩膜层,并对该掩膜层进行至少两个独立的图形化操作,依次定义用于湿法刻蚀的绝缘窗口和用于电镀成栅的图...
  • 本申请公开了太阳能电池及其制备方法。该方法包括:提供硅基底,并对硅基底顺序进行第一步制绒和第二步制绒,以在硅基底的至少一侧表面形成绒面,第一步制绒的处理时长小于第二步制绒的处理时长,且第一步制绒中采用的制绒液的浓度大于第二步制绒中采用的制绒...
  • 本发明涉及半导体光电子材料技术领域,具体涉及一种基于原位自还原表面等离子体共振效应的异质结光电材料、制备方法及应用,其技术点是:在基底上沉积MoS2量子点,采用低温溶剂热法制备选择性暴露(100)晶面的Cs2AgBiI6纳米片得到Cs2Ag...
  • 本发明提供一种电池串、光伏组件制备方法及制备装置,其中电池串制备方法,包括如下步骤:采用电池片组件制备机构制备第一电池片组件及第二电池片组件,将各第一电池片组件及第二电池片组件间隔平铺放置于循环输送带上,循环输送带具有至少两个输入端,各电池...
  • 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开了一种XBC电池激光图形化多图层变频方法。针对现有XBC电池激光图形化工艺中,因电池片扩散掺杂后不同区域掺杂膜层(BSG/PSG层)存在4‑10nm厚度差异,单图层固定激光参数导致边缘残留、中间热损...
  • 本申请提供了基于柔性衬底的短波铟镓砷红外探测器及其制备方法,属于短波红外探测器技术领域;解决了传统的InP基铟镓砷短波红外探测器刚性太强,无法实现在屈曲、异型环境中使用的问题;该方法包括以下步骤:在衬底上生长与之具有高选择性的N型的牺牲层;...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,其中,所述太阳能电池的制造方法包括:提供基底,于所述基底的一侧表面形成第一减反层;于所述第一减反层远离所述基底的一侧形成细栅层,所述细栅层包括多条相互间隔的细栅,且所述细栅沿第一方向延伸;于所...
  • 本申请涉及光伏组件技术领域,具体涉及太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件。本申请的太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:提供电池中间体;于电池中间体表面涂覆导电材料;将导电材料烧结固化,形成预成型栅线;对预成型栅线进行激光处理,制备太阳能...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别涉及一种太阳能电池及其制备工艺、叠层电池和光伏组件。制备工艺包括以下步骤:提供硅基底,在硅基底的表面制备钝化层;在钝化层上印刷导电材料;将导电材料烧结固化,形成初始栅线;对初始栅线进行激光处理;其中,导电材料包括...
  • 本发明公开一种光伏组件。该光伏组件可包括:盖板、封装胶膜、电池阵列及背板;电池阵列包括:电池串、设置于电池串的端部电池片背面的汇流结构和设置于端部电池片背面与汇流结构之间的绝缘透光件,汇流结构包括:导电边框和位于导电边框内且间隔设置的多条导...
  • 本发明公开了一种芯片互联封装结构及计算芯片,其中芯片互联封装结构包括多个晶圆,多个晶圆堆叠设置,每个晶圆包括光电转换电路、光波导以及信号触点,光电转换电路经光波导连接信号触点,光电转换电路被配置为将电信号转换为光信号,相邻的所述晶圆上的信号...
  • 本发明公开了一种掺锂的晶体硅光伏电池、硅片、晶锭及其掺杂方法,属于光伏电池领域。通过将适量的杂质锂与杂质硼组合掺杂形成p型第一锂硅,锂元素的电负性只有0.98,在未遭遇太空高能辐照时,掺杂锂饱和了部分硼原子的空穴,在遭遇太空高能辐照时,一方...
  • 本发明公开了一种用于太阳电池的双层接触层、太阳电池及其制备方法,所述双层接触层包括:第一接触层是由Si或者Te作为掺杂源,与GaAs材料掺杂交替循环生长形成的多层结构接触层,第一接触层中每层GaAs材料层的厚度为0.5nm~1.5nm;第二...
  • 本发明公开了一种适用于叠瓦封装的柔性砷化镓太阳电池芯片及其应用,包括矩形的柔性砷化镓太阳电池芯片本体,靠近太阳电池芯片本体矩形的一条边的上电极,在上电极对侧的位置,太阳电池芯片本体向矩形外侧延伸出外侧延伸区域,外侧延伸区域的数量与上电极一一...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种光伏电池、电池串、电池串的制备方法及光伏组件。该光伏电池包括基底、PN结结构和无PN结结构区域。其中,PN结结构和无PN结结构区域均形成于基底的同一侧表面;无PN结结构区域的延伸方向垂直于光伏电池的电流主...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统,包括:硅基底;硅基底具有相对的正面和背面,背面设有沿第二方向叉指交替排列的第一极性掺杂层和第二极性掺杂层,第一极性掺杂层和第二极性掺杂层之间设有间隔区;第一极性掺杂层...
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