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  • 本发明涉及一种芯片装配的预处理设备,其包括载具、传输轨道、往返运动地设置在所述传输轨道上的传输件、设置在所述传输轨道一侧的翻转机构,所述载具包括承载座以及分设于所述承载座相对两侧的第一连接部和第二连接部;所述第一连接部与所述传输件沿上下方向...
  • 本申请公开了一种方形晶片的加工方法、系统及设备,该加工方法包括:获取方形晶片的四条直边的坐标数据,基于坐标数据进行直线拟合,以确定四条直边对应的第一直线解析式;基于四条直边对应的第一直线解析式,确定两两相交的第一直线解析式的四个第一交点;基...
  • 本发明提供了一种半导体对中装置及方法,该半导体对中装置包括:定位机构包括定位柱;对准机构包括:固定座,可滑动地穿设于固定座的若干个导向杆,固设于导向杆朝向载盘中心一端的矫正件,开设于固定座以收容矫正件的凹槽,以及抵接于固定座与矫正件之间的第...
  • 本发明提供一种静电卡盘及半导体工艺设备,涉及半导体技术领域。该静电卡盘包括升降驱动组件和内部设有温度调节组件的基体,基体的顶部设有凸台和密封环,密封环围设于凸台,并与基体及凸台共同围成容置槽,容置槽内嵌设有隔挡件,且容置槽位于隔挡件上方的空...
  • 本申请涉及半导体加工领域,且公开了一种带有定位结构的晶圆加工机,包括机箱,所述机箱的内部安装有储料盒,其设置为两组,并对称分布于所述机箱内腔的左右两侧,所述储料盒内壁的上下两侧分别固定连接有多组数量相同的支架二和支架一,所述支架一的内部转动...
  • 本申请提供一种用于键合设备的支撑结构及键合设备。所述支撑结构包括支撑面,所述支撑面用于支撑待键合结构;所述支撑结构内部设有气道,所述支撑结构还设有位于所述气道朝向所述支撑结构的支撑面一侧的多个分散排布的通道;各所述通道分别与所述气道连通,且...
  • 本发明涉及晶圆流片用质检装置,涉及芯片制作技术领域,包括用于和芯片背板进行支撑的连接支撑柱,连接支撑柱固定安装在传送滑动块上,连接支撑柱顶部设置有吸附口。本申请通过连接支撑柱从芯片背板(非电路面)下方进行支撑和真空吸附,再利用传送链条带动芯...
  • 本申请公开了一种真空吸盘及其制备方法,属于晶圆加工技术领域。真空吸盘包括第一主体、第二主体、支撑结构以及连接层。第二主体与第一主体相对设置,第一主体和第二主体相互面向的侧面中至少一者设有沿第一方向凹陷形成的流道,第二主体背向第一主体的一侧用...
  • 本发明公开了一种搬运晶圆的陶瓷机械手治具片加工定位装置及加工方法,旨在提供一种不仅通用性好,而且定位稳定,能够有效控制陶瓷机械手治具片固定过程中产生的表面微变形,从而提高产品加工精度,提高产品加工合格率的搬运晶圆的陶瓷机械手治具片加工定位装...
  • 本发明公开了一种用于多规格石英环的真空吸盘装置,涉及车间装置领域。包括石英真空吸盘本体,所述石英真空吸盘本体的中心设有中心固定盘,所述石英真空吸盘本体和所述中心固定盘之间设有若干真空环腔,真空环腔沿自身直径方向上的两端分别设有环腔抽气横孔和...
  • 本发明公开了一种芯片拾取装置,属于芯片封装及制造技术领域,其安装架具有第一安装板,转动调节组件包括转动驱动件和转接件;转动驱动件的转动轴沿竖向贯穿第一安装板;转接件与转动轴连接;平衡缓冲组件包括第二安装板、第三安装板、导向单元、第一弹性件;...
  • 本申请公开了一种托盘、半导体工艺腔室及控制方法,托盘,用于半导体工艺腔室中固定晶圆,包括:吸附区,表面为凹面,并且设有多个通气孔,所述吸附区设有与所述多个通气孔连通的气流通道,其中,所述凹面的曲率满足:所述晶圆当贴合于所述吸附区时翘曲度不超...
  • 本申请涉及一种半导体存储容器的检测方法及清洁设备。其中,检测方法包括将待清洗的半导体存储容器移至检测单元,并使得半导体存储容器在其重力方向上,半导体存储容器的盖体位于半导体存储容器的盒体的下方,检测单元设置于清洁设备内部;分离盖体与盒体,并...
  • 一种激光退火机器,配置成对工件施加激光退火,该激光退火机器可以配置成在激光退火期间提供晶片的自动且集成的退火前检查、原位检查和退火后检查。提供自动且集成的退火前检查、原位检查和退火后检查可以包括:经由至少一个视觉感测设备获取与工件相关联的视...
  • 本发明提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括:提供基板;对基板进行开孔制程,以在基板中形成穿孔;对基板进行第一检测步骤,以获得第一检测结果;以及根据第一检测结果判断穿孔的状态是否异常。当判断穿孔的状态为异常时,对基板进行穿孔重...
  • 本申请提供一种电性参数值确定方法、装置、设备、介质及产品。应用于半导体制造技术领域,所述方法包括:获取半导体器件的制造相关数据和预先训练的预测模型;将所述制造相关数据输入至所述预测模型中;所述预测模型包括转换单元和处理单元;所述转换单元,用...
  • 本发明公开了一种功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质。所述方法包括:获取待测试的功率半导体器件,将所述待测试的功率半导体器件的漏极和源极进行电性短接;在所述待测试的功率半导体器件的栅极和源极之间,施加高于额定工作栅压的栅源应力...
  • 本发明涉及晶圆检验技术领域,特别涉及全自动晶圆边缘检验及晶背清洁检验机;包括机架、装载机构、运输机械臂、外观检测机构和清洁检验机构,所述装载机构固定设在所述机架的外侧,所述运输机械臂、外观检测机构和清洁检验机构固定设在所述机架内部,所述装载...
  • 本发明涉及一种晶圆键合强度评估方法、系统及介质,涉及半导体制造质量监控与测试技术领域。方法包括:在预设环境温度条件下,取预设数量的化学刻蚀试剂施加于键合晶圆对的边缘,使得所述化学刻蚀试剂与所述边缘界面处的介电层接触并开始计时;其中,化学刻蚀...
  • 本发明公开了一种晶圆片倒角检测方法及计算机设备,涉及LED技术领域,所述方法包括:获取片盒中各晶圆片的基准位置;根据基准位置驱动搬运手将晶圆片送到中心定位机构的第一真空吸附台上以对晶圆片进行中心定位;驱动搬运手将晶圆片送到边缘面幅测量机构的...
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