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最新专利技术
  • 一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法
    一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511825375.6
    本发明公开一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法，包括：对待加工晶圆减薄处理，得到第一晶圆片；对第一晶圆片的背面进行激光处理，得到第二晶圆片；对第二晶圆片进行清洗，得到第三晶圆片；对第三晶圆片的背面形成背面金属。本发明利用激光脉冲局部...
    2026-04-20
  • 一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用
    一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用_华南理工大学_202511853040.5
    本发明公开了一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明将聚合物和无机金属盐溶于溶剂中得到前驱体溶液，再旋涂于衬底上，干燥后经紫外退火处理，得到有机‑无机复合介电层薄膜。以紫外退火方式促进聚合物支链上不饱和官能团或活性官能团与金...
    2026-04-20
  • 一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用
    一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用_华南理工大学_202511853039.2
    本发明公开了一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用。本发明将有机前驱体溶液旋涂于等离子体处理的衬底上，热退火，得到有机物介电层，再在有机物介电层上旋涂无机前驱体溶液，热退火，得到无机金属氧化物介电层，最后在无机金...
    2026-04-20
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202512032817.8
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将衬底置于自电离等离子体反应腔室中预热；(2)在预热后的衬底表面进行第一沉积，制备Ti薄膜；(3)在Ti薄膜表面进行第二沉积，制备TiN薄膜；(4)将反应腔室抽真空，降温；(5)...
    2026-04-20
  • 一种生成稳定金属-硅化物的方法
    一种生成稳定金属-硅化物的方法_长春长光正圆微电子技术有限公司_202512017616.0
    本发明属于半导体器件制造技术领域，为了微观生成更稳定的金属化合物提供一种生成稳定金属‑硅化物的方法，将沉积金属层后的衬底置于快速热退火设备中，执行快速热退火，该过程至少包括预热阶段：控制设备中负责主加热的多个前部灯组，以额定功率的低功率值进...
    2026-04-20
  • 一种晶体管基极金属的制作方法
    一种晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919617.8
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管基极金属的制作方法，在发射极层的外延片表面沉积一层介质层；在介质层表面涂布两层光阻，曝光显影后，刻蚀去除暴露的介质层；在暴露的发射极层上刻蚀出截面呈倒梯形的通道；在通道上蒸镀Y字形的基极金属，所述...
    2026-04-20
  • 一种双极性晶体管基极金属的制作方法
    一种双极性晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919424.2
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种双极性晶体管基极金属的制作方法，在发射极层以及发射极台阶的表面沉积一层的介质层；在介质层表面涂布光阻，使用一张光罩进行曝光显影，刻蚀暴露的介质层；去除光阻，在介质层表面沉积一层Oxide层；刻蚀Oxid...
    2026-04-20
  • 近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法
    近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887824.X
    本发明提供了一种近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括氢终端金刚石衬底的精准制备；PLD法单晶AlN形核层的定向生长；MOCVD法层级外延结构的一体化制备。本发明提供的近结散热的低热阻金刚石基GaN异质...
    2026-04-20
  • 调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法
    调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886089.0
    本发明提供了一种调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在金刚石衬底上制备氢终端层，形成氢终端金刚石衬底；在氢终端层上定向生长本征氮化铝层；在本征氮化铝层上调制生长镁掺杂氮化铝功能层，形成层级化的界面电荷输运...
    2026-04-20
  • 一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法
    一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法_广东天域半导体股份有限公司_202512034457.5
    本发明公开了一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法，包括如下步骤：S1、将碳化硅衬底放入碳化硅外延反应腔内的石墨基座上；S2、然后向反应腔通入氢气，进行原位刻蚀；S3、利用化学气相沉积的方法生长N型缓冲层；S4、在缓冲层完成...
    2026-04-20
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202610205611.2
    本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制备方法，存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一金属互连层、导电栓塞、第一电极、阻变层、第一介质层、第二介质层、第二金属互连层、至少两个第二电极和至少两层氧离子储备层；导电栓塞位于第...
    2026-04-20
  • 相变开关器件及其制备方法
    相变开关器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512006734.1
    本申请提供了一种相变开关器件及其制备方法，属于微波开关器件技术领域。相变开关器件包括器件主体和散热层。器件主体的上表面具有测试压点以及相变区域；散热层覆盖于器件主体的上表面，散热层具有能暴露测试压点的窗口。散热层能吸收相变区域的热量，并与周...
    2026-04-20
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511996340.9
    本申请公开一种阻变存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域。该阻变存储器，包括顶电极、底电极，以及设置于顶电极和底电极之间的阻变层和应变结构，阻变存储器写入时，应变结构发生形变对阻变层形成压应力，使得阻变层中的氧空位向阻变层的中心聚集；阻变存...
    2026-04-20
  • 凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用
    凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用_中国科学院化学研究所_202511976242.9
    本发明公开了凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用。本发明凝胶忆阻器阵列包括基底、导电Cross‑bar线路和凝胶锥形孔阵列，聚电解质凝胶结构位于第一端开口内至第二端开口内完全填充至导电线路，中性凝胶结构位于第一端开口外与导电线路连接。本发明的凝...
    2026-04-20
  • 一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法
    一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法_华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)_202511955165.9
    本发明提供一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法，属于超导量子器件与微纳加工技术领域。在超高真空沉积与原位转移集成系统中进行衬底准备与下电极制备、二维材料干法转移和上电极沉积，最后图形化定义结区得到图形化的约瑟夫森结。本发明实现超导电极与...
    2026-04-20
  • 约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备
    约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411386023.0
    本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该方法包括，通过将面积信息满足预设面积条件的初始约瑟夫森结作为目标约瑟夫森结，并将除所述目标约瑟夫森结外的初始约瑟夫森结作为非目标约瑟夫森结，根据目标约瑟夫森结的面...
    2026-04-20
  • 一种引脚外露感应芯片封装结构及方法
    一种引脚外露感应芯片封装结构及方法_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511910415.7
    本发明公开了一种引脚外露感应芯片封装结构及方法，包括以下步骤：将裸片电性端口处电镀线路一，将电性端口重新布局；部分线路一上电镀线路二，重新布局线路一的电性，线路二延伸至相互垂直的两切割道内，整体包封；裸片背面包封料钻孔并电镀连接柱填充将另部...
    2026-04-20
  • 超导-自旋可切换器件及超导-自旋切换方法
    超导-自旋可切换器件及超导-自旋切换方法_北京科技大学_202610295332.X
    本发明涉及自旋电子学器件与量子信息器件技术领域，提供了一种超导‑自旋可切换器件及超导‑自旋切换方法，所述器件包括：磁性层，所述磁性层具有垂直磁各向异性；以及非磁层，所述非磁层为层；所述磁性层和所述非磁层形成磁性/非磁性异质结；在低于第一温度...
    2026-04-20
  • 一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法
    一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法_佛山大学_202512028433.9
    本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法。本发明以未掺杂ZnS为压电活性材料，采用物理气相沉积技术，在刚性或柔性衬底上依次制备下电极层与ZnS压电活性层，通过调控沉积温度等工艺参数，构建沿<111...
    2026-04-20
  • 一种Cu2O-ZnO掺杂的P(VDF-TrFE)高压电薄膜及其制备方法
    一种Cu2O-ZnO掺杂的P(VDF-TrFE)高压电薄膜及其制备方法_华东理工大学_202511964407.0
    本发明属于压电材料技术领域，涉及一种Cu2O‑ZnO掺杂的P(VDF‑TrFE)高压电薄膜及其制备方法。制备方法：制备表面均匀分布有ZnO种子的P(VDF‑TrFE)基纳米纤维膜后，采用水热法在P(VDF‑TrFE)基纳米纤维膜上生长ZnO...
    2026-04-20
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