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最新专利技术
  • 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置
    移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202411524793.7
    本发明提供了移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置，移位寄存器单元包括：第一开关单元，响应于第一节点的信号而导通，以将第一电平信号输入第一信号输出端；第二开关单元，响应于第二节点的信号而导通，以将第一时钟信号输入第一信号输出端；第三开关单元...
    2026-05-09
  • 具有错误校正的非易失性存储器
    具有错误校正的非易失性存储器_恩智浦有限公司_202511539254.5
    在非易失性存储器(NVM)中，存储器阵列在每个行和列相交点处具有差分位单元，其中每个行存储N位数据元素和对应于所述数据元素的单奇偶校验位。每个差分位单元包括第一和第二单端位单元，并且逻辑状态由所述第一和第二单端位单元的逻辑状态确定。读取操作...
    2026-05-09
  • 低电源写入抹除式非挥发性存储器
    低电源写入抹除式非挥发性存储器_亿而得微电子股份有限公司_202411644035.9
    本申请提供一种低电源写入抹除式非挥发性存储器，属于存储器领域，包括共源线、字线、位元线、存储器阵列、第一电子开关、第二电子开关、解码装置、第一储存电容器、第二储存电容器与升压电路。每一存储器阵列耦接一条共源线、一条字线与四条位元线。解码装置...
    2026-05-09
  • 编码操作方法及存储器
    编码操作方法及存储器_武汉新芯集成电路股份有限公司_202411545927.3
    本申请公开了一种编码操作方法及存储器，该编码操作方法通过划分每笔待编码数据为多个编码数据组，基于每个编码数据组中多位的待编码数据生成对应的校验码，这种编码方式生成的校验码可以指示哪一编码数据组是否发生错误和该编码数据组中的哪一位待编码数据是...
    2026-05-09
  • 应用于二值神经网络的存储器装置及存储器内计算方法
    应用于二值神经网络的存储器装置及存储器内计算方法_旺宏电子股份有限公司_202411563912.X
    本发明提供一种存储器装置及存储器内计算方法。存储器装置例如为三维NAND型闪存，提供高性能及高容量的储存介质。在存储器装置中，输入解析器提供初始地址信息及初始层激活值数据。读出数据感测及比较器从存储器阵列读取与初始地址信息对应的初始数据，且...
    2026-05-09
  • 基于陈绝缘体的霍尔忆阻器及存算一体的计算设备
    基于陈绝缘体的霍尔忆阻器及存算一体的计算设备_上海科技大学_202610073082.5
    本发明提供一种基于陈绝缘体的霍尔忆阻器及存算一体的计算设备，首先，通过对称性工程设计，采用打破中心对称与旋转对称性的准二维陈绝缘体，同时支持量子反常霍尔态并产生轨道磁化，以及面内电场和面外磁化的耦合。其次，本发明在无费米面的量子霍尔态中引入...
    2026-05-09
  • 基于反相编程的RRAM数据写入和读取方法及装置
    基于反相编程的RRAM数据写入和读取方法及装置_清华大学_202511969491.5
    本申请涉及一种基于反相编程的RRAM数据写入和读取方法及装置，其中，方法包括：对目标阻变存储器进行回读，以得到对应的回读数据，并确定预写入数据的总比特数；对回读数据与预写入数据进行逐比特比较操作，以得到回读数据与预写入数据之间的相同比特数量...
    2026-05-09
  • 适应温度变化的优化的单端EPCM读取方法
    适应温度变化的优化的单端EPCM读取方法_意法半导体国际公司_202511566838.1
    本公开涉及适应温度变化的优化的单端EPCM读取方法。公开了用于嵌入式相变存储器(ePCM)单元的读出电路系统。所述电路系统包括输出指示感测到的温度高于还是低于阈值的信号的温度传感器。微控制器生成读取信号和修正信号，其中修正信号基于温度信号。...
    2026-05-09
  • 可编程电阻存储器元件的击穿缓解
    可编程电阻存储器元件的击穿缓解_桑迪士克科技股份有限公司_202510532024.X
    用于降低可编程电阻存储器单元中的阈值切换选择器的阈值电压的技术。当控制电路以在可编程电阻存储器单元两端施加电压以便降低该可编程电阻存储器单元中的阈值切换选择器的阈值电压时，存储器系统对该电路施加第一控制信号以确立与该可编程电阻存储器单元、字...
    2026-05-09
  • 模拟计算电路
    模拟计算电路_上海集成电路研发中心有限公司_202411532854.4
    本申请提供一种模拟计算电路。该电路包括：多个计算单元、位线控制单元、字线控制单元和模数转换器；位线控制单元和字线控制单元分别用于，向每个位线和每个字线下的计算单元输出位线控制信号和字线控制信号；多个计算单元，用于响应位线控制信号和字线控制信...
    2026-05-09
  • 字线译码电路及静态随机存取存储器
    字线译码电路及静态随机存取存储器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411544695.X
    本申请提供一种字线译码电路及静态随机存取存储器。包括：编码锁存模块，第一译码模块，多个第二译码模块、第一译码锁存模块；编码锁存模块接收地址信号和第一时钟信号，对地址信号进行编码得到第一组编码信号；第一译码模块接收第二时钟信号和对应的信号段，...
    2026-05-09
  • 中继电路、中继方法和存储系统
    中继电路、中继方法和存储系统_上海先基半导体科技有限公司_202610091633.0
    本公开实施例公开了一种中继电路、中继方法和存储系统，该中继电路分别与存储器的第一位线和第二位线并联；第一位线上的信号和第二位线上的信号电平相反；中继电路包括：第一放大电路设置为在第一驱动使能线、第二驱动使能线、第一位线和第二位线的信号的控制...
    2026-05-09
  • 内存物理层接口、记忆装置及其方法
    内存物理层接口、记忆装置及其方法_智原科技股份有限公司_202510552693.3
    本发明提供一种内存物理层接口、记忆装置及其方法。记忆装置包括内存装置、内存控制器和内存物理层接口。内存物理层接口包括多分接头决策反馈均衡(DFE)接收器和分接头重置电路。分接头重置电路根据读取脉冲之间的间隙间隔产生脉冲信号和重置信号，以在读...
    2026-05-09
  • 支持动态迭代聚合的存内计算存储器
    支持动态迭代聚合的存内计算存储器_东南大学_202610148936.1
    本发明了一种支持动态迭代聚合的存内计算存储器，属于集成电路设计领域。该存储器采用压缩稀疏行输入配合输出固定数据流，乘法单元内设有旁路指数加法器与位稀疏尾数乘法电路，利用数据分布特性降低功耗，加法单元集成位稀疏调制逻辑以优化写回数据，并通过读...
    2026-05-09
  • 半导体装置中的内容可寻址存储器加载
    半导体装置中的内容可寻址存储器加载_长江存储科技有限责任公司_202411525523.8
    提供了用于半导体装置中的内容可寻址存储器(CAM)加载的方法、装置和系统。在一个方面中，一种示例存储装置包括存储阵列以及耦合到存储阵列的外围电路。外围电路包括CAM、数据路径和通过数据路径耦合到CAM的缓冲器电路。缓冲器电路包括耦合到存储件...
    2026-05-09
  • 一种电压控制电路
    一种电压控制电路_中国科学院微电子研究所_202512005890.6
    本发明公开一种电压控制电路，涉及SRAM芯片设计领域，以解决现有技术中SRAM存储单元计算准确性较差的问题。电路包括：电流源电路、运算放大器和传输门；将电流源电路与运算放大器连接，运算放大器与传输门连接，传输门与SRAM存储单元的右侧字线连...
    2026-05-09
  • 用于列存储器的控制电路结构、芯片、图像传感器及设备
    用于列存储器的控制电路结构、芯片、图像传感器及设备_北京弘图半导体有限公司_202610139603.2
    本发明提供了一种用于列存储器的控制电路结构、芯片、图像传感器及成像设备。列存储器包括沿列存储器的列方向依次设置的2N个存储体，每个存储体包括M个列存储单元；控制电路结构包括电连接的逻辑控制电路及至少一个移位寄存器电路，每一个移位寄存器电路对...
    2026-05-09
  • 列存储器阵列结构、芯片、图像传感器及成像设备
    列存储器阵列结构、芯片、图像传感器及成像设备_北京弘图半导体有限公司_202610139591.3
    本发明提供了一种列存储器阵列结构、芯片、图像传感器及成像设备。列存储器阵列结构包括电连接的列存储电路阵列、控制逻辑电路及至少一个读出电路；列存储电路阵列包括至少两个列存储阵列子分区，控制逻辑电路包括至少一个子控制逻辑电路，每一个子控制逻辑电...
    2026-05-09
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202511559467.4
    本公开提供一种半导体存储器装置，其包括：管芯，包括多个平面，每个平面具有多个存储器单元；多个温度传感器，布置在管芯中并且被布置成与相应平面相对应；以及温度补偿电路，被配置成基于从相应温度传感器获得的平面温度值生成读取控制信号，该读取控制信号...
    2026-05-09
  • 磁盘驱动悬架
    磁盘驱动悬架_日本发条株式会社_202511456690.6
    一种实施方式的悬架(10A)包括：包含压电元件(30R、30L)的第一致动器(AC1)、包含压电元件(40R)的第二致动器(AC2)、以及包含压电元件(40L)的第三致动器(AC3)。第一导体(33)向该第一致动器(AC1)供给第一交流电流...
    2026-05-09
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