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最新专利技术
  • 一种异质结太阳电池及其光子烧结方法
    一种异质结太阳电池及其光子烧结方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511939635.2
    本发明公开了一种异质结太阳电池及其光子烧结方法，属于光伏技术领域。该方法包括：对导电银浆进行光子烧结，银浆中的含银量为8~25%且银浆中导电物质的总含量不低于90%；光子烧结过程中通入水汽。通过通入水汽，水汽在光子烧结过程中，可剥离出H元素...
    2026-04-21
  • 一种MoS2基的二维半导体光电材料制备方法及其应用
    一种MoS2基的二维半导体光电材料制备方法及其应用_天府绛溪实验室_202511906303.4
    本发明公开了一种MoS2基的二维半导体光电材料制备方法及其应用，属于光电材料制备领域，所述制备方法包括：a采用化学气相沉积法，在惰性气体保护下，以MoO3和硫为前驱体，在预设基底上反应生长，得到单层MoS2；将Mo2Ga2C前驱体粉末通过含...
    2026-04-21
  • 一种太阳能光伏背板亲-憎水双面同步处理装置及方法
    一种太阳能光伏背板亲-憎水双面同步处理装置及方法_江苏海能电力设计咨询有限责任公司_202511905572.9
    本发明提供一种太阳能光伏背板亲‑憎水双面同步处理装置及方法，装置包括传送机构、亲水处理模块和憎水处理模块，传送机构用于传送光伏背板，亲水处理模块分布在传送机构的一侧，用于对光伏背板的一面进行亲水处理；憎水处理模块分布在传送机构的另一侧，用于...
    2026-04-21
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511872312.6
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提出了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统，该方法包括：提供硅基底；对硅基底进行钝化前处理，以形成待钝化硅基底；在第一反应腔室内通入前驱物，使待钝化硅基底形成氧化铝膜；前驱物包括TMA、水蒸气...
    2026-04-21
  • 增强Ⅲ-Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线牢固度的上电极及制备方法与应用
    增强Ⅲ-Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线牢固度的上电极及制备方法与应用_中电科蓝天科技股份有限公司_202511855099.8
    本发明公开了一种增强Ⅲ‑Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线牢固度的上电极制备方法及应用，针对现有Ⅲ‑Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线制备过程中掉栅的问题，提供了一种增强其牢固度的方法，包括器件工艺方法和电极结构的变化。通过调整器件工艺方法，即先腐蚀Cap层再...
    2026-04-21
  • 一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法
    一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511816144.9
    本发明公开了一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法，包括如下步骤：在衬底表面转移石墨烯层；将石墨烯层加工成石墨烯光电探测器的沟道与石墨烯放大器的沟道；制备石墨烯光电探测器的源电极、漏电极，以及石墨烯射频放大器的源电极、漏电...
    2026-04-21
  • 一种基于Te纳米片与WS2的异质结光电探测器及其制备方法
    一种基于Te纳米片与WS2的异质结光电探测器及其制备方法_天府绛溪实验室_202511775988.3
    本发明公开了一种基于Te纳米片与2的异质结光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测器技术领域，包括：在衬底上制备金属电极；通过水热法合成Te纳米片，并采用第一聚二甲基硅氧烷PDMS介导的干法转移工艺，将所述Te纳米片定位并转移至所述金属电...
    2026-04-21
  • 一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法
    一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法_中电科蓝天科技股份有限公司_202511770988.4
    本发明公开一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法，结合磁控溅射、激光加工与电镀工艺制备无 Au 电极，制备时先在锗衬底生长正向单结或多结外延层，清洗后磁控溅射 Ti‑Ni‑Ag 或 Ti‑Pd‑Ag 种子层；再用飞秒或皮秒激光按栅线图去除非电...
    2026-04-21
  • 一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法
    一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法_复旦大学_202511731096.3
    本发明公开了一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法；该制备方法包括：首先，将蓝宝石上外延Mg掺杂GaN的衬底片进行高温激活，形成良好的P型导电层；然后，在GaN表面形成阳极电极，并且快速热退火处理形成良好欧姆接触；接着采用原...
    2026-04-21
  • 基于STO-Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法
    基于STO-Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511726782.1
    本发明公开了一种基于STO‑Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法，包括如下步骤：1)采用磁控溅射法在钛酸锶衬底上沉积氧化镓薄膜；2)在惰性气氛中对沉积后的氧化镓薄膜进行后退火处理；3)在退火后的氧化镓薄膜表面制备金属叉指电极，得到...
    2026-04-21
  • 一种TOPCon太阳能电池及其制备方法
    一种TOPCon太阳能电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511662053.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法，包括如下步骤：(1)采用第一导电浆料在半成品电池片的背面进行丝网印刷，经烧结处理，制备得到第一背面栅线电极；所述第一导电浆料包括银粉、第一银铜镍合金粉、玻璃粉和有机...
    2026-04-21
  • 一种光伏电池组件及其制备方法
    一种光伏电池组件及其制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202511641019.9
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种光伏电池组件及其制备方法，包括以下步骤，电池片制备：用尺寸为半片的硅片作为原料，对制绒后的硅片正反面进行选择性图案化刻蚀形成两个凹槽，正面凹槽的宽度小于背面凹槽的宽度，然后依次镀非晶硅/微晶硅薄膜和...
    2026-04-21
  • 短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法
    短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610024989.2
    本发明公开了一种短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法，包括正照CCD芯片和载体片，所述正照CCD芯片通过键合材料集成在载体片上，所述正照CCD芯片的背面设置有接触金属电极；所述载体片采用经过减薄抛光处理的高阻单晶材料片。本发明...
    2026-04-21
  • 用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法
    用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610295345.7
    本申请涉及一种用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法，像素单元包括：提供衬底，衬底的顶面包括沿第一方向交替排列的牺牲层和第一沟槽；于第一沟槽靠近牺牲层一侧形成隔离结构后，去除牺牲层形成第二沟槽；隔离结构内包括第一介电层；于第二沟槽、剩余...
    2026-04-21
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_豪威科技(上海)有限公司_202610034530.0
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，采用从晶圆背面形成双深度沟槽隔离技术，即满深度沟槽隔离结合部分深度沟槽隔离。本发明在从晶圆背面沟槽蚀刻前, 先沉积一层硬掩膜层且仅增加一张光罩，通过该光罩对硬掩膜层图形化，实现该硬掩膜层在满深度沟槽隔离...
    2026-04-21
  • 碲镉汞红外芯片及其底部填充方法
    碲镉汞红外芯片及其底部填充方法_浙江珏芯微电子有限公司_202610010929.5
    本发明公开了一种碲镉汞红外芯片及其底部填充方法，属于制冷红外探测器技术领域，该碲镉汞红外芯片的底部填充方法，包括提供红外芯片，读出电路板和光电材料层之间具有一填胶空间，红外芯片的面阵规模不小于1280×1024；将红外芯片设置有读出电路板的...
    2026-04-21
  • 一种制备像素化闪烁体薄膜的方法
    一种制备像素化闪烁体薄膜的方法_大连理工大学_202610007062.8
    本发明属于辐射探测成像技术领域，公开一种制备像素化闪烁体薄膜的方法。该方法通过原位生长方式在基底上直接制备闪烁体薄膜，随后采用皮秒激光对所述闪烁体薄膜进行选择性刻蚀，在薄膜内部原位形成用于像素隔离的空气层，从而构建像素化闪烁体结构。所形成的...
    2026-04-21
  • 可见光和短波红外混合传感器
    可见光和短波红外混合传感器_半导体元件工业有限责任公司_202510142492.6
    本公开涉及可见光和短波红外(SWIR)混合传感器，以及用于构建此类传感器的方法。该方法包括在硅衬底中形成第一深沟槽隔离部(DTI)、第二DTI和第三DTI。该硅衬底的定位在该第二DTI与该第三DTI之间的部分形成用于探测可见光的硅光电探测器...
    2026-04-21
  • 阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法
    阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202511844106.4
    本发明是关于阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法，该加工方法包括：光电玻璃窗口结构设计：光电玻璃窗口透过率≥85%、方阻＜100Ω/□，基于此设计网络结构；掩膜版的制备：将设计的网格结构制备成掩膜版；表面处理：在光电玻璃窗口上...
    2026-04-21
  • 一种雪崩探测器及其制备方法
    一种雪崩探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511746048.1
    本发明属于探测器领域，具体涉及一种雪崩探测器及其制备方法。解决现有低增益雪崩探测器存在性能调控维度单一，制造工艺窗口窄及容差率低等问题。一种雪崩探测器，包括自下而上依次层叠设置的：衬底；第一半导体层，形成于所述衬底之上或作为所述衬底的一部分...
    2026-04-21
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