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最新专利技术
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511643330.7
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括：外延结构、保护层、第一电极和第二电极；外延结构包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于第一半导体层和第一半导体层之间的有源层；第一电极连接于第一半导体层，第二电极连接于第二半导体层；...
    2026-04-21
  • 一种半导体外延结构及其制作方法
    一种半导体外延结构及其制作方法_江西乾照半导体科技有限公司_202512007590.1
    本发明提供一种半导体外延结构及其制作方法，通过设置半导体外延结构的堆叠结构至少包括依次堆叠的N型半导体层、有源区以及P型半导体层；N型半导体层包括N型电流扩展层，P型半导体层包括P型第一电流扩展层，N型电流扩展层包括由a层和b层交替层叠设置...
    2026-04-21
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511908810.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层和位于上表面的电流扩展层，半导体叠层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，还具有自上表面向第一半导体层方向延伸并暴露出第一半导体层的台面以及连接上...
    2026-04-21
  • 一种发光元件及发光装置
    一种发光元件及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511869902.3
    本申请提供一种发光元件及发光装置，发光元件以出光侧为正面，包括外延结构、第一电极、第一反射层、电流阻挡层、第一金属阻挡层和基板。外延结构自正面至背面方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，第一电极设于外延结构正面与第一半导体层...
    2026-04-21
  • 一种图形化衬底结构及制备方法
    一种图形化衬底结构及制备方法_福建晶安光电有限公司_202511730107.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种图形化衬底结构，由下至上依次包括衬底层及若干个均匀分布于衬底层的光学薄膜结构；其中，光学薄膜结构的侧面为若干条相同的第一外凸弧线组成的第一弧形面，若干条第一外凸弧线从光学薄膜结构下表面边缘延伸相交于光学薄膜...
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054949.0
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054871.2
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054774.3
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054773.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054772.4
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054424.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032669.X
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032667.0
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032657.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032158.8
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032156.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032142.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032124.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-21
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_聚灿光电科技股份有限公司_202610279521.8
    本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底上的键合介质层；设置在所述键合介质层上的半导体外延叠层，所述半导体外延叠层由下至上依次包括P型GaP层、多量子阱发光层、AlInGaP层和N型GaAs层...
    2026-04-21
  • 发光器件及其制备方法、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411388465.9
    提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，发光器件包括多个第一发光单元，第一发光单元包括第一量子阱层和第二量子阱层，第二量子阱层位于第一量子阱层靠近发光器件的出光侧的一侧；其中，第一量子阱层用于发出第一颜色的光，第二量子阱层用于基于第一颜色的...
    2026-04-21
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