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最新专利技术
  • 一种智能颜色可控的光子晶体连续制备系统及制备方法
    一种智能颜色可控的光子晶体连续制备系统及制备方法_南京师范大学_202610098783.4
    本发明提供一种智能颜色可控的光子晶体连续制备系统，依次包括纳米二氧化硅颗粒制备系统、二氧化硅纳米颗粒纯化系统、光子晶体液滴制备系统与高温煅烧干燥系统；纳米二氧化硅颗粒制备系统用于获得二氧化硅纳米颗粒乳液；二氧化硅纳米颗粒纯化系统将获得二氧化...
    2026-05-09
  • 一种光学用碳化硅粉体脱氮装置及方法
    一种光学用碳化硅粉体脱氮装置及方法_中国平煤神马控股集团有限公司_202511889543.8
    本发明公开了一种光学用碳化硅粉体脱氮装置及方法，涉及半导体材料制备技术领域。该装置包括储料仓、混料仓、搅拌机构、真空系统和气体分布系统。方法步骤为：将粉体加入混料仓后密闭；先抽真空至100‑400Pa并启动搅拌，使粉体翻动以脱附大部分氮气；...
    2026-05-09
  • 基于聚焦离子束的晶体三维取向精准可控微纳加工方法
    基于聚焦离子束的晶体三维取向精准可控微纳加工方法_重庆大学_202610408869.2
    本发明公开基于聚焦离子束的晶体三维取向精准可控微纳加工方法，包括以下步骤：对晶体材料的目标区域进行EBSD扫描测试，构建晶体材料的当前取向矩阵；构建目标晶面法向或目标晶向；基于目标晶面法向或目标晶向，构造目标取向矩阵，使目标取向满足单定向约...
    2026-05-09
  • 一种堆叠衬底诱导黑磷线择优生长的方法
    一种堆叠衬底诱导黑磷线择优生长的方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511920646.6
    本申请涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种堆叠衬底诱导黑磷线择优生长的方法，包括以下步骤：首先，将红磷、金属锡、碘以一定比例混合均匀并放置反应器中；然后，将覆有金膜的硅/二氧化硅衬底进行预退火处理，在反应器中用多孔介质隔离原料，并在反应器另...
    2026-05-09
  • 一种无机-有机杂化三维晶体及其制备方法和应用
    一种无机-有机杂化三维晶体及其制备方法和应用_北京理工大学_202511820184.0
    本发明属于有机‑无机杂化功能晶体材料领域，涉及一种无机‑有机杂化三维晶体及其制备方法和应用，将含有氢碘酸、质子化的有机分子笼C‑D3T2和铅源的原料与溶剂混合，通过溶剂热反应，得到所述无机‑有机杂化晶体。所制备的晶体化学式为{[C‑D3T2...
    2026-05-09
  • 一种复合改性高镍低钴单晶正极材料及其制备方法和应用
    一种复合改性高镍低钴单晶正极材料及其制备方法和应用_格林美(无锡)能源材料有限公司_202511898002.1
    本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域，具体涉及一种复合改性高镍低钴单晶正极材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将高镍低钴单晶前驱体、第一锂源与包含锆、铌、镁元素的掺杂剂混合后，进行特定温度区间的两段式烧结，得到体相梯度掺杂材料；随后采...
    2026-05-09
  • 一种晶体生长合成炉
    一种晶体生长合成炉_宁夏晶创智能装备有限公司_202610075965.X
    本发明公开了一种晶体生长合成炉，包括：复合式炉体、加热与温控系统、光学观察窗组件和生长监测与控制系统。所述复合式炉体的炉室采用由承压水冷套、碳纤维增强碳化硅复合材料层、泡沫碳化硅陶瓷隔热层和高纯石墨纸构成的多层梯度复合衬层结构。加热与温控系...
    2026-05-09
  • 高导热率碳化硅单晶衬底及其制备方法与应用
    高导热率碳化硅单晶衬底及其制备方法与应用_江苏超芯星半导体有限公司_202610037648.9
    本发明提供一种高导热率碳化硅单晶衬底及其制备方法与应用，通过优化原料纯度、改进热场设计、调控生长动力学参数及后处理工艺，有效抑制杂质引入与缺陷形成，实现接近理论极限的热导性能。同时，本发明还提供该高导热SiC衬底的可控制备方法及其在先进电子...
    2026-05-09
  • 一种碳化硅晶体生长方法和碳化硅晶体生长炉
    一种碳化硅晶体生长方法和碳化硅晶体生长炉_宁夏创盛新材料科技有限公司_202512015052.7
    本申请涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长方法和碳化硅晶体生长炉；碳化硅晶体生长方法包括：在所述反应腔的底部铺设第一碳化硅原料层；在所述第一碳化硅原料层上铺设第二碳化硅原料层；其中，所述第二碳化硅原料层的粒径大于所述第一碳化硅...
    2026-05-09
  • 坩埚组件、生长晶体的装置及其方法
    坩埚组件、生长晶体的装置及其方法_华为技术有限公司_202411527837.1
    本申请提供一种坩埚组件、生长晶体的装置及其方法，涉及半导体技术领域，用以解决如何提升晶体生长质量的问题。该坩埚组件包括坩埚和组分收集装置，坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体和坩埚盖形成第一腔室；组分收集装置设于坩埚的外部，且与坩埚连接；组分...
    2026-05-09
  • 一种提拉法生产超大尺寸KDP、DKDP晶体的方法
    一种提拉法生产超大尺寸KDP、DKDP晶体的方法_山东朗坤节能环保技术有限公司_202610111281.0
    一种提拉法生产超大尺寸KDP、DKDP晶体的方法，包括如下步骤：在晶体引导块的底部设置籽晶；将籽晶浸入到磷酸二氢钾或磷酸二氘钾的饱和溶液当中；在籽晶部分逐步形成晶帽，继而形成晶体生长面，在晶体生长面上形成柱状区；形成柱状区后，将晶体引导块缓...
    2026-05-09
  • 一种镁锶双掺氟化钙晶体及其制备方法和应用
    一种镁锶双掺氟化钙晶体及其制备方法和应用_河南微米光学科技有限公司_202610201100.3
    本发明属于电子材料技术领域，公开了一种镁锶双掺氟化钙晶体及其制备方法和应用，该方法先以乙二胺四乙酸二钠螯合钙镁离子，与氟盐发生配位置换反应制备镁掺杂氟化钙微球前驱体；再通过无水乙醇‑去离子水混合溶剂调控3‑氨基丙基三乙氧基硅烷水解，借助其界...
    2026-05-09
  • 一种多掺杂溴化镧闪烁晶体及其制备方法
    一种多掺杂溴化镧闪烁晶体及其制备方法_北京中材人工晶体研究院有限公司_202610180743.4
    本发明涉及一种多掺杂溴化镧闪烁晶体及其制备方法。所述晶体头部与尾部发光不均匀性不大于0.1%，晶体头部和尾部闪烁性能一致，大大提高了晶体质量，拓宽了晶体应用范围，具有广阔的市场前景。本发明示例的制备方法，首次提出了采用经水平区熔法合成的剔除...
    2026-05-09
  • 一种高熵稀土钙氧硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法与应用
    一种高熵稀土钙氧硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法与应用_宁波大学_202610021282.6
    本发明公开了一种高熵稀土钙氧硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法与应用，属于非线性光学晶体材料技术领域。所述的高熵稀土钙氧硼酸盐晶体的化学通式为，其中n≥5，R为不同种类的稀土元素，各稀土元素的摩尔分数满足：x+y+···+t=1。本发明的高熵...
    2026-05-09
  • 一种用于脉冲放大的钐掺杂硼酸氧钙镧非线性光学晶体材料及其制备方法与用途
    一种用于脉冲放大的钐掺杂硼酸氧钙镧非线性光学晶体材料及其制备方法与用途_宁波大学_202511965906.1
    本发明公开了一种用于脉冲放大的钐掺杂硼酸氧钙镧非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，所述晶体材料属于单斜晶系，m点群，Cm空间群，化学式为Smx : La1‑xCa4O(BO3)3，x为0.1~0.99，热扩散率在300K和600K温度时分...
    2026-05-09
  • 一种加热器装置
    一种加热器装置_内蒙古鼎泰万邦新材料有限公司_202610132004.8
    本发明的目的在于公开一种加热器装置，包括一加热器主体，和与加热器主体相连接，起到支撑作用并与电极连接导电的至少两个脚板，脚板的上端与加热器主体固定连接，脚板的下端连接电极并固定；加热器主体与脚板的连接处通过一旋转啮合锁止机构连接固定，旋转啮...
    2026-05-09
  • 一种单晶炉硅液引流收集装置
    一种单晶炉硅液引流收集装置_北京北方华创真空技术有限公司_202411541262.9
    本申请涉及单晶炉硅液溢流保护的领域，尤其是涉及一种单晶炉硅液引流收集装置，其包括保温引流层，所述保温引流层设于所述单晶炉底壁；引流槽，所述引流槽贯穿所述保温引流层，所述引流槽的一端与所述单晶炉内部连通，另一端与所述预留孔相连通；硅液储槽，所...
    2026-05-09
  • 多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石
    多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石_成都沃特塞恩电子技术有限公司_202610069206.2
    一种多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石，属于多晶金刚石制备技术领域。多晶生长阶段的工作腔内的压强为130~170torr，微波功率为8~9kw；多晶生长阶段通入的气体包括氢气、甲烷、氧气和氮气，其中，氢气流量为300~500sccm，氧...
    2026-05-09
  • 一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统
    一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610286336.1
    本发明公开了一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统，属于外延片生产控制技术领域，该方法包括：基于基底表面能分布数据和基底翘曲度分布数据，结合外延生长工艺参数，利用成核动力学模型分析得到初始表面粗糙度预测值；基于历史生产数据确定目标基底的设备...
    2026-05-09
  • 在外延反应器中原位扫描衬底温度的装置和系统
    在外延反应器中原位扫描衬底温度的装置和系统_LPE公司_202511527498.1
    一种用于测量反应器中的衬底温度的温度监测系统，包括：(i)适于在衬底的沉积表面上沉积膜的反应室；(ii)温度监测装置，其包括光学装置、遥感温度计和支撑装置。遥感温度计包括适于温度测量的至少一个IR辐射检测器。反应室设置有至少一个孔；至少一个...
    2026-05-09
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